个人简历

• 1996.9-2000.7，学士，北京师范大学物理系，物理学专业；

• 2000.9-2003.7，硕士，北京师范大学低能核物理研究所，凝聚态专业；

• 2003.9-2006.8，中国科学院半导体研究所工作；

• 2006.9-2009.7，博士，中国科学院半导体研究所，微电子学与固体电子学专业；

• 2009.7——至今，助理研究员，中国科学院半导体研究所。

研究领域

• 在中心主管设备：PECVD淀积、ICP干法刻蚀和棱镜耦合仪

• 负责设备的维护维修、工艺设计和开发等，熟悉PECVD介质膜的淀积和各种材料ICP刻蚀的设备硬件、原理和相关工艺等。

成果出版

1. Yan Li, Xiaoyan Yi, Xiaodong Wang, et al., Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, v 6841, Solid State Lighting and Solar Energy Technologies, 68410X, 2008

(EI)

2. Li Yan, Wang Xiaofeng, Zhang Jiaoyong, Wang Xiaodong, Fan Zhongchao, Yang Fuhua, Lithography-independent and large scale fabrication of metal electrode nanogap, Journal of Semiconductors (Accepted)

(EI)

3. Yang Zhang, Jian Liu, Yan Li and Fuhua Yang, Fabrication of nanoscale metallic air-bridges by introducing a SiO2 sacrificial layer, Materials Science in Semiconductor Processing, 10, 194, 2007

(SCI)

4. Wei Zhou, Jinling Yang, Yan Li, et al., Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films, Thin Solid Films, 517, 1989, 2009

(SCI)

5. Wei Zhou, Jinling Yang, Yan Li, et al., Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular membrane bulge test, 3rd IEEE-NEMS, 261, 2008

(EI)

专利

1. 李艳 杨富华 唐龙娟 朱银芳，采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，200910081224.9 （已授权）

2. 李艳 杨富华 裴为华，以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法，200910081225.3

3. 张杨 刘剑 李艳 杨富华，一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，200710120607.3