郑婉华，博士，研究员，博士生导师（2010年获“国家杰出青年基金”）。

    2010年获“国家杰出青年基金”，2014年入选国家百千万人才工程，授予“有突出贡献中青年专家”荣誉称号。

    1988年山东大学光学系毕业，1991年在中科院物理所获硕士学位，同年入中科院半导体研究所工作，1998年在香港浸会大学获理学博士学位。现任中科院半导体所学术委员会和学位委员会委员。长期从事半导体光电子材料与器件的研究，近年来，在硅基光子晶体和激光产生研究方面，采用硅基纳米结构材料，实现高Q值的光子晶体微腔，首次在国际上采用硅基光子晶体宽带隙材料，实现可见光的锁模脉冲激射，上述工作被作为前沿技术进展分别在Laser Focus World（2003.2）、Photonics等杂志报道；在III-V族半导体材料与器件的研究方面，在国内首次实现InP基光子晶体面发射、边发射微腔激光器的突破；在光子集成新技术方面，研制出国内首台具有自主知识产权的晶片键合、清洗系统。作为项目负责人和主要完成人承担和完成了"九.五"863、"十.五"863、自然科学基金等项目。发表论文八十余篇，拥有美国专利一项，申请国内专利十余项。目前作为课题负责人承担多项国家任务。

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