韩伟华，男，博士，研究员(三级），博士生导师，中国微米纳米技术学会会员。

通讯地址：北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所集成技术中心

Email：weihua@semi.ac.cn；办公电话：010-82304360；传真：010-82305141

 

简历：      

    1973年出生，吉林省梅河口市人。 1995年在沈阳工业大学电子工程系获得学士学位；1998年在吉林大学电子工程系获理学硕士学位；2001年在中国科学院半导体研究所光电子国家重点实验室获理学博士学位；2004年从日本北海道大学集成量子电子学研究中心留学归国，进入中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心工作；2009年晋升为研究员。长期致力于半导体纳米结构电子与光电子器件及其应用的研究，主持完成国家自然科学基金、863计划和973计划等多项重要研究课题。在国内外著名专业学术期刊发表论文70余篇，编著英文图书1部（Toward Quantum FinFET, Springer, 2013），申请及授权国家发明专利24项，参加国际学术会议20余次。

 

取得的主要科研成果：

建立了硅片键合界面反应动力学模型和智能剥离工艺的理论模型（J. Appl. Phys., Vol.88，No.7, p.4404, 2000；J. Appl. Phys., Vol.89, No.11, p.6551, 2001）；

利用GaAs基单电子晶体管低温探测THz激光，揭示了THz光子辅助单电子隧穿的过程（Phys. Stat. Sol. (c), Vol.0, No.4, p.1329, 2003；Toward Quantum FinFET, Springer, p.351, 2013）；

设计制作了权重可控的脉冲耦合CMOS神经元电路，比传统人工神经元在脉冲耦合、时空累加、生物不应期等方面更好地模仿了生物神经元。（IEEE ICSICT, p.1-95, 2012；IEEE ICSICT, p.1883, 2010）；

首次利用飞秒激光光刻技术制作完成T形栅GaN基高电子迁移率晶体管和量子效应硅纳米线晶体管，为半导体纳米结构器件制备拓展了新的加工途径（Appl. Phys. A, Vol.106, p.575, 2012；J. Appl. Phys., Vol.116, p.124505, 2014）。

在量子效应硅纳米线晶体管的低温输运特性研究中，发现了电子依赖杂质从零维输运向一维输运转化的量子电学过程（IEEE Electron Dev. Lett., Vol.34, No.5, p.581, 2013）；

发现了器件的变温电学特性主要取决于电子库仑相互作用能、杂质电离能和俘获电子的热激活能（J. Appl. Phys., Vol.114, p.124507, 2013）；

发现了低温条件下不完全电离杂质存在电离能和热激活能竞争，导致在15 K临界温度处具有最小迁移率（Appl. Phys. Lett., Vol.102, p.223507, 2013）；

观测到了杂质热激活能对电子输运机制产生重要影响，证明了由局域态向扩展态转变的Anderson转换温度依赖于电子热激活能与库仑能的平衡（J. Appl. Phys., Vol.116, p.124505, 2014）；

观测到了电子通过量子点所产生的单电子效应，以及多量子点耦合产生的劈裂电流谱峰，证明了在局域空间处于分立态的电离杂质可以作为量子点，这使得单原子晶体管成为可能（Appl. Phys. Lett., Vol.104, p.133509, 2014；J. Appl. Phys., Vol.117, p.034505, 2015）；

观测到硅量子线电导台阶高度随栅压变化具有倍数关系，证明了电子通过的一维输运子能带具有不同的简并态（IEEE Electron Dev. Lett., Vol. 36, No.9, p.941, 2015）。

　　

目前主要研究方向：　　

1、量子效应硅纳米结构晶体管的研究

过去的数十年中， CMOS 晶体管特征尺寸遵循摩尔定律从微米尺度向纳米尺度不断缩小，器件性能及其集成度得到持续提升。低成本、低功耗、高集成度仍在持续驱动 CMOS 器件的纳米化进程。随着CMOS器件特征尺寸缩小到10 nm以下，一方面在越来越短的沟道上实现掺杂浓度和类型的突变，变得越来越困难；而另一方面在越来越细的沟道中杂质波动对器件电学性能的影响也越来越大。近10年以来，纳米尺度下掺杂原子对晶体管性能影响的研究不断升温，硅单原子晶体管的概念正在变为现实。杂质在接近原子尺度的局域纳米空间将变得分立，电子通过电离的杂质将表现出显著的量子效应。单原子晶体管代表的是固态器件的最终尺度极限，杂质原子的尺度与2 nm左右的波尔半径相当，杂质原子的数量、分布和电离能都会决定器件的性能。单原子晶体管依赖电离杂质作为量子点工作，是单电子晶体管器件家族中的特殊成员。传统单电子晶体管依赖纳米加工形成的人造库仑岛进行工作，库仑岛由栅电极诱导电势限制或沟道起伏纳米空间限制形成。单原子晶体管中的电离杂质能级位于导带底部附近，电荷输运通过分立的杂质能级，最多容许两个电子通过。栅控电流谱的研究可以揭示电离杂质的许多重要的信息和潜在的应用方向。

2、硅基横向III-V纳米线晶体管研究

根据2014年《全球半导体技术发展路线图》，基于硅衬底生长的高迁移率III-V族沟道材料被认为是进一步提升CMOS器件性能的重点。然而，在硅衬底上外延生长III-V族半导体薄膜材料时，晶格失配产生的大量位错会破坏晶体质量，因此必须生长比较厚的缓冲层，严重影响了器件的制备和应用。近年来，高质量的III-V族纳米线不需要缓冲层就可以无位错生长在晶格失配高达12%的硅衬底上。这是因为III-V族纳米线结构与硅衬底接触面积小，可以从纳米线上表面和侧面两个维度释放晶格失配应力和热失配。研究表明，只要纳米线的直径小于某一临界直径，其外延生长就可以无须缓冲层而不受晶格失配的制约。一方面，利用金纳米颗粒催化剂辅助的气-液-固相（VLS）生长技术，将Au纳米颗粒在硅衬底上定位，就可以实现III-V族纳米线定位生长。另一方面，采用电子束曝光、多孔氧化铝模板（AAO）、纳米压印光刻或自组装纳米球光刻等技术在硅介质层表面定义周期孔成核点, 通过自组织生长获得整齐的纳米线阵列，不需要金属催化剂就可以选区生长III-V族纳米线。由于硅基横向III-V纳米线晶体管结构更加适合于逻辑电路的设计和平面工艺制备需求，因此在硅衬底上横向外延生长III-V族纳米线及其晶体管的制备将成为未来信息领域的热点研究课题。

 

研究兴趣：

1、飞秒激光直写技术制备纳米结构器件的研究
      飞秒激光直写技术作为纳米结构器件一种新的加工手段正在显现。该技术可与电子束曝光技术相媲美，并具有更加灵活的三维加工能力。在国家973计划纳米重大科学研究计划课题“纳米器件制备工艺创新与应用基础研究”（2010CB934104）支持下，我们主要针对光子束超衍射等新型无掩模纳米光刻技术与半导体工艺的兼容性这一瓶颈问题，发展新型纳米加工技术在半导体纳米器件制备中的关键技术与工艺。重点研究利用无掩膜纳米光刻技术等新型纳米加工技术制备半导体纳米结构电子与光电子器件，对其特性进行评价，从规律性的认识入手，通过基础性的技术研究，使得飞秒激光直写技术与传统半导体加工技术间具有良好的技术延续性。

2、脉冲耦合CMOS神经元电路的研究
      实现人工智能是人类长期梦寐以求的目标。以大规模并行处理为主流的神经网络是近年来微电子学、人工智能、信息科学、计算科学、自动控制、脑神经科学等众多学科研究的热点。神经元作为神经网络系统的结构和功能的基本单元，其电路模型的硬件实现是整个神经网络硬件实现的最关键问题，已成为神经网络研究的热点课题之一。脉冲耦合神经元电路在脉冲耦合、时空累加、生物不应期这三方面比传统人工神经元更好地模仿了生物神经元，它提供了一种有效的模拟手段来研究网络中同步脉冲的动力学性质。目前国际上称脉冲耦合神经网络为第三代人工神经网络。在国家863计划项目“硅基单电子神经元量子电路的研制”（2007AA03Z303）支持下，我们基于生物神经元细胞膜的电学特性，设计制造的脉冲耦合CMOS神经元电路能够实现连续脉冲串的输出，输出波形频率依赖于单端输入的电压信号幅度和多端输入信号的二进制编码，很好地模拟了生物神经元的电学特性。在此基础上，提出了一种新颖的应用于图像分割的脉冲耦合神经网络概念。该网络通过权重自适应电路将神经元电路进行互联，使得同一区域的神经元同步发放脉冲信号，从而实现图像分割。　　　　

 

完成/在研主要项目：

　　1、教育部留学回国人员科研启动基金“硅基单电子器件研制”，2.5万，主持，2005年11月- 2006年12月；

　　2、所长基金No. 2005DF01 “硅基单电子晶体管的研究”，10万，主持，2005年9月-2007年8月；

　　3、国家自然科学基金No.60506017 “SOI衬底上单电子晶体管的研制”， 26万，主持，2006年1月- 2008年12月；

　　4、国家自然科学基金 No.60776059“非对称库仑岛串联结构的硅基单电子器件的研究”，7万，主持，2008年1月-2008年12月；

　　5、国家863计划No.2007AA03Z303“硅基单电子神经元量子电路的研制”，100万，主持，2007年12月-2010年11月；

　　6、国家973计划No.2010CB934104“纳米器件制备工艺创新与应用基础研究”，583万，主持，2010年1月-2014年8月；

　　7、国家自然科学基金 No.61376096“硅基III-V族纳米线选区横向生长及其高迁移率3D晶体管研究”，90万，主持，2014年1月-2017年12月；

　　8、国家自然科学基金国家重大科研仪器设备研制专项No.61327813“基于低能场发射电子的三维微纳加工与原位测量系统”，100万，参与，2014年1月-2018年10月。

　　9、国家重点研发计划课题No.2016YFA0200503“微纳器件跨尺度制备工艺创新与应用探索”，880万，主持，2016年7月-2021年6月。

 

成果出版：　　

1、文章发表( 注：* 代表通讯作者)

 

2017年

[1] X. L. Li*, L. H. Ma, Y. F. Ai, W. H. Han, From parabolic approximation to evanescent mode analysis on SOI MOSFET, Journal of Semiconductors, Vol.38, No.2, 024005, 2017

2016年

[1] H. Wang, W. H. Han*, X. S. Zhao, W. Zhang, Q. F. Lyu, L. H. Ma, F. H Yang, Electric-field-dependent charge delocalization from dopant atoms in silicon junctionless nanowire transistor, Chin. Phys. B, Vol. 25, No. 10, 108102, 2016

[2] L. H. Ma, W. H. Han, H. Wang, Q. F. Lyu, W. Zhang, X. Yang, F. H. Yang, Electronic transport properties of silicon junctionless nanowire transistors fabricated by femtosecond laser direct writing, Chin. Phys. B, Vol. 25, No. 6, 068103, 2016

[3] W. Zhang, W. H. Han, Q. F. Lyu, H. Wang, F. H. Yang, Si-based horizontal InAs nanowire transistors, IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings (ICSICT), 978-1-4673-9719-3, Hangzhou, Oct.25-28, 2016, P1-009

[4] 张望，韩伟华，吕奇峰，王昊，杨富华， III-V族纳米线晶体管的研究进展，微纳电子技术，Vol.53，No.2，p.87-97, 2016

2015年

[1] L. H. Ma, W. H. Han*, H. Wang, W. T. Hong, Q. F. Lyu, X. Yang, F. H. Yang, Electron transport behaviors through donor-induced quantum dot array in heavily n-doped junctionless nanowire transistors, J. Appl. Phys., Vol.117, p.034505, 2015

[2] H. Wang, W. H. Han*, L. H. Ma, X. M. Li, F. H. Yang, Investigation of mobility enhancement of junctionless nanowire transistor-at low temperatures, Journal of Vacuum Science & Technology B, Vol. 33, p. 040603, 2015

[3] W.T. Hong, W. H. Han*, Q. F. Lyu, H. Wang, F. H. Yang, Fermi level pinning effects at gate dielectric interfaces influenced by-interface state densities, Chin. Phys. B, Vol. 24, No. 10,  p.107306, 2015

[4] L. H. Ma, W. H. Han*, H. Wang, X. Yang, F. H. Yang, Observation of Degenerate One-Dimensional Subbands in Single n-Channel Junctionless Nanowire Transistors, IEEE Electron Device Letter, Vol. 36, No.9, p.941, 2015.

[5] L. H. Ma, W. H. Han*, H. Wang, X. Yang, F. H. Yang, Charge trapping in surface accumulation layer of heavily doped junctionless nanowire transistors, Chin. Phys. B, Vol.24, No.12, p.128101, 2015

[6] 吕奇峰，洪文婷，马刘红，王昊，韩伟华*，杨富华，基于硅基图形衬底的III-V族材料生长，微纳电子技术，第52卷，第12期，p.800，2015. 

2014年

[1] W. Hao, W. H. Han*, L.H. Ma, X.M. Li, W.T. Hong, and F.H. Yang, Current-voltage spectroscopy of dopant-induced quantum dots in heavily n-doped junctionless nanowire transistors, Appl. Phys. Lett.,Vol.104, p.133509, 2014 

[2] Y.D. Du，W. H. Han*, W. Yan, and F.H. Yang, Impact of CHF3 Plasma Treatment on AlGaN/GaN HEMTs Identified by-Low-Temperature Measurement, Chin. Phys. Lett., Vol. 31, p.048501, 2014

[3] W. Hao, W. H. Han*, L.H. Ma, X.M. Li, and F.H. Yang, Quantum transport characteristics in single and multiple N-channel junctionless nanowire transistors at low temperatures, Chin. Phys. B, Vol.23, p.088106, 2014

[4] H. Wang, W. H. Han*, X.M. Li, Y.B. Zhang, and F.H. Yang, Low-temperature study of array of dopant atoms on transport behaviors in silicon junctionless nanowire transistor, J. Appl. Phys., Vol.116, p.124505, 2014. 

[5] X.L. Chang*, S.H. Liu, M.H. Man, W. H, Han, J. Chu, L. Yuan. Bio-inspired electromagnetic protection based on neural information processing, J. Bionic Eng., Vol. 11, p.151, 2014. 

[6] W.H. Han*, H. Wang, X. Yang, L.H. Ma, W.T. Hong, Q.F. Lyu and F.H. Yang, Transport through dopant atom arrays in silicon junctionless nanowire transistor, IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings (ICSICT), Oct.2930, 2014, p.1127. 

[7] 洪文婷，韩伟华*，王昊，吕奇峰，杨富华. 硅基III-V族纳米线晶体管，微纳电子技术，第51卷第6期，345页，2014.

2013年

[1] L.H. Ma, W. H. Han*, H. Wang, X.M. Li, and F.H. Yang, Temperature dependence of electronic behaviors in n-type multiplechannel junctionless transistors, J. Appl. Phys., Vol.114, p.124507, 2013

[2] X.M. Li, W. H. Han*, H. Wang, L.H. Ma, Y.B. Zhang, Y.D. Du and F.H. Yang，Low-temperature electron mobility in heavily n-doped junctionless nanowire transistor, Appl. Phys. Lett.,Vol.102, p.223507, 2013

[3] X.M. Li, W. H. Han*, L.H. Ma, H. Wang, Y.B. Zhang and F.H. Yang，Low-Temperature Quantum Transport Characteristics in Single N-channel Junctionless Nanowire Transistors, IEEE Electron Device Letters, Vol.34, No.5, pp.581-583, 2013

[4] Y.B. Zhang, Y.D. Du, Y.K. Chen, X.M. Li, X. Yang, W. H. Han*, and F.H. Yang, Low-Temperature Performance of-Accumulation Mode p-Channel Wrap-Gated FinFETs, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, Vol. 13, No.2, pp.804–807, 2013

[5] Y. K. Chen, W. H. Han* and F. H. Yang, Enhanced optical absorption in nanohole textured silicon thin film solar cells with rear-located metal particles, Optics Letter, Vol.38, No.19, pp.3973-3975, 2013 

2012年

[1] Y.D. Du, W. H. Han*, W. Yan, X.N. Xu, Y.B. Zhang, H.Z. Cao, F. Jin, X.Z. Dong, Z. S. Zhao, X. M. Duan, Y. Liu, Femtosecond-laser lithography technique for submicron T-gate fabrication on positive photoresist, Optical Engineering, Vol. 51, No. 05, p.054303, 2012

[2] Y.D. Du , H.Z. Cao ,W. Yan, W. H. Han*,Y. Liu ,X.Z. Dong, Y.B. Zhang, F. Jin,Z.S. Zhao , F.H. Yang,X.M. Duan, T-shaped gate AlGaN/GaN HEMTs fabricated by femtosecond laser lithography without ablation, Applied Physics A, Vol.106, pp.575–579, 2012                               

[3] W. Yan*, R.P. Zhang, Y.D. Du, W. H. Han, F. H. Yang, Analysis on ohmic contact of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMT-by multi-step annealing process, Journal of Semiconductors, Vol33, No.6, p.064005, 2012

[4] W. H. Han*, Y. Xiong, K. Zhao, Y.B. Zhang, F.H. Yang, Analog CMOS pulse-coupled neuron circuit with multipath switching device, IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings (ICSICT), Oct.29-Nov.1, 2012, P1-95 

[5] 陈燕坤，韩伟华*，徐锐，王晓东，李小明，杨富华. 硅基太阳能电池的表面纳米织构及制备, 微纳电子技术, 49(6), p.388-395, 2012

2011年

[1] Y. B. Zhang, Y. Xiong, X. Yang, W. H. Han*, F. H. Yang On the drive current of accumulation-mode p-channel SOI based wrap-gated Fin-FETs, Journal of Semiconductors, 32(3),p.094001, 2011 

[2] 颜伟, 韩伟华*, 张仁平, 杜彦东, 杨富华. AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展, 微纳电子技术, 48(2), p.79-86, 2011 

[3] 熊莹, 韩伟华*, 赵凯, 杨富华.一种脉冲编码CMOS神经元电路的设计与实现, 电子器件, 34(3), p.286-291, 2011 

[4] 杜彦东, 韩伟华*, 颜伟, 张严波, 熊莹, 张仁平, 杨富华.增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展, 半导体技术, 36(10), p771-777, 2011 

[5] 陈燕坤, 韩伟华*, 李小明, 杜彦东, 杨富华. 突破衍射极限的表面等离子体激元, 光电技术应用, 26(4), pp.39-44, 2011 

[6] 李小明, 韩伟华*, 张严波, 陈艳坤, 杨富华. 纳米MOSFET的多栅结构和应变硅纳米线结构,微纳电子技术, 48(11), p.689-696, 2011

2010年

[1] Y.B. Zhang, Y. Xiong, X. Yang, Y. Wang, W. H. Han*, F.H Yang, Experimental Study on the Subthreshold Swing of Silicon Nanowire Transistors, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 10(11), p.7113, 2010

[2] Y. Wang*, W. H. Han, X. Yang, R.P. Zhang, Y. Zhang, F.H. Yang, An efficient dose compensation method-for proximity effect correction, Chinese Journal of Semiconductors, 31(8), p.086001, 2010  

[3] Y. Xiong, W. H. Han*, K. Zhao, Y. B. Zhang, F. H. Yang，An Analog CMOS Pulse Coupled Neural Network for Image Segmentation，IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology Proceedings (ICSICT), Shanghai, China, Nov.1-4, 2010, p.1883 

2009年

[1] Y. Zhang *, R.P. Zhang, W. H. Han, J. Liu, X. Yang, Y. Wang, C. C. Li, F. H. Yang. Reduction of proximity effect in fabricating-nanometer-spaced nanopillars by two-step exposure, Journal of Semiconductors, Vol. 30, No. 11, p.116001, 2009 

[2] 张严波，熊莹，杨香，韩伟华*，杨富华，硅纳米线场效应晶体管的研究进展，微纳电子技术, 46卷11期，2009年11月，p.641 

[3] W.H. Han*, X. Yang, Y. B. Zhang, Y. Xiong, Y. Wang, Z.C. Fan, F. H.Yang, Self-limiting oxidation of silicon nanostructure-on silicon-on-insulator substrate, Oral report，3rd International Conference on One-dimensional Nanomaterials (ICON 2009), Atlanta, GA, USA, Dec. 7-9, 2009 

[4] 韩伟华*, 熊莹, 赵凯, 张严波, 杨香, 杨富华，基于脉冲耦合神经网络模型的CMOS神经元电路，第十六届全国半导体集成电路和硅材料学术会议杭州, 2009.10.27-30.

2008年

[1] X. Yang, W. H. Han*, Y. Wang, Y. Zhang, F. H. Yang. Fabrication of Silicon Crystal-Facet-Dependent Nanostructures by Electron-Beam Lithography, Journal of Semiconductors, 29(6),,p15-19, 2008 

[2] W. H. Han*, X. Yang, Y. Wang, F. H. Yang, J. Z. Yu. Fabrication method of silicon nanostructures by anisotropic etching, IEEE 5th Internantional Conference on Group IV Photonics, Sorrento, Italy, 17-19 Sept. 2008, p146 

[3] Y. Wang*, W. H. Han, X. Yang,J. J. Chen , F. H. Yang, Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors, IEEE 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology Proceedings (ICSICT), Beijing, China, 21-23 Oct.2008, p 393 

[4] Q.Z. Huang*, J.Z. Yu, S.W. Chen, X.J. Xu, W.H. Han, Z.C. Fan, Design, fabrication and characterization of a high-performance microring resonator in silicon-on-insulator, Chinese Physics B, 17 (7), p. 2562, 2008 

[5] Q.Z. Huang*, J.Z. Yu, S.W. Chen, X.J. Xu, W.H. Han, Z.C. Fan, High Q microring resonator in silicon-on-insulator rib waveguides,-Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, vol. 6838, Optoelectronic Devices and Integration II, 2008, p 68380J 

2007年

[1] W. H. Han*, M. Yomoto, S. Kasai, Detection of Terahertz photon by GaAs-based single electron transistor at low temperatures,-Chinese Journal of Semiconductors, 28(4), p. 500, 2007 

[2] X. Yang, W. H. Han*, Y. Zhang, Y. Wang, F. H. Yang, Fabrication of silicon crystal-facet-dependent nanostructure-for quantum conductance by electron-beam lithography, Nanoelectronics and NEMS,International Conference on Nanoscience & Technology (ChinaNano), 2007, Beijing, China , No. 4P-030, p430

2006年

[1] 韩伟华*, 樊中朝, 杨富华. 微纳加工技术在光电子领域的应用, 物理, Vol. 35, No.1, p.51, 2006 

[2] 张杨, 韩伟华*, 杨富华. 硅基单电子晶体管的制备, 微纳电子技术, Vol.43, No.2, p.73, 2006

[3] W. Du*, X.S Xu. W. H. Han, C.X. Wang, Y. Zhang, F. H. Yang, H.D. Chen, Fabrication of a high quality etching mask for two-dimensional photonic crystal structures, Chinese Journal of Semiconductors, vol.27, no.9, p.1640, 2006 

[4] 杜伟*, 许兴胜, 韩伟华, 王春霞, 张杨, 杨富华, 陈弘达，高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法，半导体学报, Vol. 27, No.9, p.1640, 2006

[5] 王春霞*，许兴胜，韩伟华，杜伟，宋倩，胡海洋，陈弘达,电子束光刻及深紫外光刻制作硅基光子晶体的对比研究, 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 广西北海，2006年11月，p.786 

2005年

2004年

2003年

[1] S. Kasai*, W. H. Han, M. Yumoto, H. Hasegawa. Terahertz response of Schottky wrap gate-controlled quantum dots,-Phys. Stat. Sol. (c), Vol.0, No.4, p.1329, 2003   

[2] S. Kasai*, W. H. Han, d H. Hasegawa, Theoretical and Experimental Study of a Single Electron THz Detector Using-a GaAs Quantum Dot, The 11th IEEE International Conference on Terahertz Electronics (THz2003), Sendai, Japan, Sept. 24-26, 2003. 

2002年

[1] S. Kasai*, W. H. Han, H. Hasegawa, Terahertz Response of Schottky Wrap Gate-Controlled Quantum Dots, 2nd International Conference on Semiconductor Quantum Dots (QD2002), Tokyo, Japan, Sep. 30- Oct. 3, 2002

[2] 韩伟华*, 余金中, 硅片键合过程中的接触面积, 飞通光电子技术, Vol.2, No.1，p.31, 2002

2001年

[1] W. H. Han*, J. Z. Yu, A thermodynamic model on hydrogen-induced silicon surface layer cleavage, Journal of Applied Physics,-Vol. 89, No.11, pp. 6551, 2001

[2] W. H. Han*, J. Z. Yu, Q. M. Wang. Theoretical analysis on bonding energies for silicon direct bonding. Journal of Semiconductors, -Vol. 22, No. 2, p. 140, 2001

[3] W. H. Han*, J. Z. Yu, Modeling the thermodynamics of the Smart-Cut process. Journal of Semiconductors, Vol.22, No. 7,-p.821, 2001

[4] W. H. Han*, J. Z. Yu, Criterion of Gap Closing for Silicon Wafer Bondability, Journal of Semiconductors, Vol.22, No. 12,-p.1516, 2001

[5] 韩伟华*, 余金中, 低温键合技术,飞通光电子技术, Vol.1, No.2, p. 68, 2001 

[6] 韩伟华*，余金中，硅片接触表面的弹性形变范围，半导体光电, Vol.22, No.6, p.67, 2001

[7] H.Z. Wei*, J. Z. Yu, Z. L. Liu, X. F. Zhang, W. H. Han, Q.M. Wang, W.Shi, C.S.Fang, Geometric Structures and Modes-of SOI and GeSi/Si rib opticl waveguides. Acta Optica Sinica, Vol. 21, No.5, p. 556, 2001 

[8] J. Z. Yu*, H. Z. Wei, W. H. Han, X. F. Zhang, Q. F. Yan, J. S. Xia, Q. M. Wang, Silicon-on –Insulator（SOI）integrated-multimode interference (MMI) coupler, Proceeding of the 5th symposium on optoelectronics, April 2001, Xiamen, Fujian, p.165

2000年

[1] W.H. Han*, J.Z. Yu, Q. M. Wang. Modeling the dynamics of Si wafer bonding during annealing. Journal of Applied-Physics, Vol. 88, No. 7, p.4404, 2000 

[2] W. H. Han*, J.Z. Yu, Q. M. Wang. Elastic deformation of wafer surfaces in bonding. Journal of Applied Physics, Vol. 88, No. 7,-p. 4401, 2000

[3] W. H. Han*, J.Z. Yu, Q. M. Wang. Mechanism of wafer bonding process. Semiconductor Photonics and Technology（半导体光子学与技术：英文版），Vol. 6, No.3, p.169, 2000 

[4] 韩伟华*，余金中，利用键合方法转移薄膜材料，半导体光电，Vol. 21, No. 6, p. 422, 2000 

[5] 韩伟华*，余金中，王启明，硅基键合激光器的研究进展，半导体光电，Vol. 21, No. 2, p.77, 2000 

[6] W. H. Han*, J.Z. Yu, L.C. Wang, H.Z. Wei, X.F. Zhang, Q. M. Wang. A Model of Dislocations at the Interface of the Bonded-Wafers. Optical Interconnects for Telecommunication and Data Communications，Beijing, China,-Proceedings of SPIE, edited by Xiaomin Ren and Suning Tang, Vol. 4225, Nov. 2000, p.116 

[7] W. H. Han*, J.Z. Yu. The Influence of Load Pressure on Properties of Wafer-bonding interface. First Joint Symposium on Opto- and Micro- electronic Devices and Circuits, Nanjing, P. R. China, edited by Z. G. Wang, Apr. 2000, p.168

[8] 韩伟华*，余金中，利用键合方法集成固体薄膜材料，第七届全国固体薄膜学术会议论文集，中国电子学会，2000年10月1日，广西北海，p.49

1999年

[1] Y.S. Zhao*, W.H. Han, J.F. Song, X.M. Li, Y. Liu, D.S. Gao, G.T. Du. Spontaneous emission factor for semiconductor super-luminescent diodes. Journal of Applied Physics, Vol.85, No. 8,  p.3945, 1999

[2] 韩伟华*, 余金中, Si1-xGex/Si低维应变材料的发光机理, 半导体光电，第20卷第6期，p.400, 1999

[3] 于卓*，成步文，李代宗，雷震霖，韩伟华，余金中，王启明，梁俊吾，衬底的不同清洗方法对SiGe外延层生长的影响，99’全国光电子器件与集成技术会议，深圳，1999年3月，p.368

[4] 李代宗*，于卓，成步文，雷震霖，韩伟华，余金中，王启明，UHV/CVD 生长GeSi应变材料特性分析，99’全国光电子器件与集成技术会议，深圳，1999年3月，p.379

[5] 成步文*，李代宗，于卓，雷震霖，韩伟华，余金中，王启明，Si盖层对SiGe外延层表面起伏的平滑作用，99’全国光电子器件与集成技术会议，深圳，1999年3月，p.364

[6] 赵永生, 宋俊峰, 韩伟华, 李雪梅, 杜国同, 高鼎三, 半导体超辐射发光管自发发射因子的估算, 光学学报,Vol.19, No.4, p.452,1999

1998年

[1] G.T. Du*, G. Devane, K. A. Stair, S.L. Wu, R. P. H. Chang, Y.S. Zhao, Z.Z. Sun, Y. Liu, X.Y. Jiang, W. H. Han. The Monolithic-Integration of a Superluminescent Diode with a Power Amplifier. IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 10, No. 1,p.57, 1998 

[2] Y. S. Zhao*, G.T. Du, X.Y. Jiang, W.H. Han, X.M. Li, J. F. Song, D.S. Gao, G. Devane, K.A. Stair,R.P.H Chang, A novel semiconductor-integrated superluminescent source, High Technology Letters, Volume: vol.8, no.1, p.5, 1998 

[3] Y. S. Zhao*, G.T. Du, W.H. Han，AlGaAs high-power short-wavelength superluminescent integrated source，Progress in Nature-Science,Vol.8, No.5, p.563, 1998

1997年

[1] G. T. Du*, Y. S. Zhao, X. M.Li, J. F.Song, W. H. Han, D.S. Gao, S.L. Wu, G. Devane, K.A. Stair,R.P.H Chang, Monolithic Integration-of GaAlAs Superluminescent Diode with The Optical Amplifier. IEEE Laser and Electro-Optics Society 1997 Annual Meeting, San Francisco USA, 10th November 1997

 

2、专利发表

2015年

[1] 王昊，韩伟华，杨富华, 基于SOI衬底的单杂质原子无结硅纳米线晶体管及制备方法, 中国发明专利, 申请日：2015-04-22, 专利号：201510192461.8

[2] 洪文婷，韩伟华，吕奇峰，杨富华, 基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管及制备方法, 中国发明专利, 申请日：2015-05-11，专利号： 201510236328.8

[3] 洪文婷，韩伟华，吕奇峰，杨富华, 基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法, 中国发明专利, 申请日：2015-05-14, 专利号：201510245793.8

[4] 吕奇峰，韩伟华，洪文婷，杨富华, SOI叉指结构衬底Ⅲ-Ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法, 中国发明专利, 申请日：2015-07-22,    专利号：201510433864.7

2014年

2013年

[1] 王昊，韩伟华，马刘红，杨富华, 一种无结晶体管的电阻测试方法，中国发明专利，申请日：2013-10-25, 申请号：201310511410.8

[2] 陈艳坤，韩伟华，洪文婷，杨富华, 纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法, 中国发明专利，申请日：2013-04-09, 申请号：201310121314.0

[3] 韩伟华, 杨晓光, 杨涛, 王昊, 洪文婷, 杨富华, 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长方法, 中国发明专利，申请日：2013-06-13, 授权日：2015-8-5，申请号：201310232595.9

[4] 韩伟华, 王昊, 马刘红, 洪文婷, 杨晓光, 杨涛, 杨富华, 硅基横向纳米线多面栅晶体管结构及其制备方法, 中国发明专利，申请日：2013-06-13, 申请号：201310233363.5  

2012年

[1] 李小明, 韩伟华, 张严波, 颜伟, 杜彦东, 陈燕坤, 杨富华, 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管结构设计及制备方法, 中国发明专利，申请日：2012-10-24, 申请号： 201210408617.8

2011年

[1] 韩伟华，陈燕坤，李小明，张严波，杜彦东，杨富华, 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法, 中国发明专利，申请日：2011-05-13, 授权日：2012-10-03，申请号：201110124310.0 

[2] 张严波, 韩伟华, 杜彦东, 杨香, 杨富华, 半导体晶体管结构及其制造方法, 中国发明专利，申请日：2011-08-22, 授权日：2013-02-06，申请号：201110241106.7 

[3] 杜彦东, 韩伟华, 颜伟, 张严波, 杨富华, SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及其制作方法, 中国发明专利，申请日：2011-12-01, 申请号：201110392863.4 

[4]   韩伟华，陈艳坤，李小明，杨富华, 聚光硅纳米孔阵列太阳能电池及其制备方法, 中国发明专利，申请日：2011-12-22, 授权日：2014-4-9，申请号：201110435947.1

2010年

[1] 韩伟华，熊莹，张严波，赵凯，杨富华, 一种利用时间编码控制权重和信息整合的方法, 中国发明专利，申请日：2010-06-09, 授权日：2012-04-11, 申请号：201010201589.3 

[2] 熊莹，韩伟华，杨富华,  具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路, 中国发明专利，申请日：2010-07-14, 授权日：2012-09-26, 申请号：201010231216.0 

[3] 颜伟，杜彦东，韩伟华，杨富华, 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法, 中国发明专利，申请日：2011-12-15, 授权日：2012-03-21, 申请号：201010605875.6

2009年

[1] 韩伟华, 熊莹, 赵凯, 杨香, 张严波, 王颖, 杨富华, 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路, 中国发明专利，申请日：2009-08-19, 授权日：2013-06-05, 申请号：200910091405.X

2008年

[1] 杨香, 韩伟华, 王颖, 张杨, 杨富华, 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法, 中国发明专利，申请日：2008-10-05, 申请号：200810224109.8

2007年

[1] 韩伟华, 硅基单电子神经元量子电路, 中国发明专利，申请日：2007-08-09, 授权日：2010-06-02，申请号： 200710120102.7 

[2] 韩伟华，杨香, 杨富华, 围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法, 中国发明专利，申请日：2007-08-01, 授权日：2010-06-23，申请号：200710119835.9 

[3] 韩伟华，杨香, 杨富华, 具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法, 中国发明专利，申请日：2007-08-01, 授权日：2011-05-04，申请号：200710119834.4 

[4] 王颖，韩伟华, 杨香, 张杨, 杨富华, 环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法, 中国发明专利，申请日：2007-12-26, 授权日：2011-10-26，申请号：200710304255.7

2006年

[1] 韩伟华, 杨香，吴南健, 杨富华, 一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法, 中国发明专利，申请日：2006-11-01, 授权日：2009-03-01, 申请号：200610114189

2005年

[1] 韩伟华，张杨，刘剑，杨富华, 通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法, 中国发明专利，申请日：2005-10-20, 授权日：2008-08-06, 申请号：200510086640

 

3、出版图书

[1] W. H. Han, Z. M. Wang (editors), Toward Quantum FinFET, ISBN 978-3-319-02020-4, DOI 10.1007/978-3-319-02021-1, Springer Internationa Publishing Switzerland, 2013