1. 杨晋玲，唐龙娟，解婧，李艳，杨富华，采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法, 中国发明专利，专利号：ZL 200910081983.5

2. 杨晋玲, 刘云飞, 解婧, 杨富华，一种超高真空多功能综合测试系统，中国发明专利，申请号：201010171385.X

3. 杨晋玲，解婧，刘云飞，杨富华，一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，中国发明专利，专利号：ZL 201010235870.9

4. 杨晋玲，刘云飞，解婧，杨富华，大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，中国发明专利，专利号：ZL 201010235859.2

5. 毛旭，杨晋玲，杨富华，基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法，中国发明专利，申请号：201010601975.1

6. 毛旭，方志强，杨晋玲，基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置，中国发明专利，申请号：201110343625.4。

7. 杨晋玲 王帅鹏 王晶晶 杨富华，基于谐振式微悬臂梁结构的新型高灵敏生化传感器，中国发明专利，申请号：201210243513.6。

 

发表文章：

1. C. Leung, A. Bestembayeva, R. Thorogate, J. Stinson, A. Pyne, C. Marcovich, J. L. Yang, U. Drechsler, M. Despont, T. Jankowski, M. Tschöpe, and B. W. Hoogenboom, Atomic force microscopy with nano-scale cantilevers resolves different structural conformations of the DNA double helix，Nano Lett. 12, 3846 (2012).

2. X. Mao, J. L. Yang, A. Ji, and F. H. Yang, Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate，IEEE J. Microelectromech. Syst. (accepted).

3. Y. F. Liu，J. Xie，H. Zhao, W. Luo，J. L. Yang，A. Ji, and F. H. Yang, An effective approach for restraining electrochemical corrosion of polycrystalline silicon caused by an HF-based solution and its application for mass production of MEMS devices, J. Micromech. Microeng. 22, 035003 (2012).

4. Y. F. Liu，J. Xie，M. L. Zhang，J. L. Yang，and F. H. Yang, An effective approach for restraining galvanic corrosion of polycrystalline silicon by hydrofluoric-acid-based solutions, IEEE J. Microelectromech. Syst. 20 (2) : 460–465 (2011).

5. Y. F. Zhu, F. X. Zhang, J. L. Yang, H. Y. Zheng, and F. H. Yang，Stability of mechanical properties for submicrometer single-crystal silicon cantilever under cyclic load, IEEE J. Microelectromech. Syst. 20 (1): 178–183 (2011).

6. R. R. Gruter, Z. Khan, R. Paxman, J. Ndieyira, B. Dueck, B. A. Bircher, J. L.Yang, U. Drechsler, M. despont, R. Mckendry, and B. W. Hoogenboom，Disentangling mechanical and mass effects on nanomechanical resonators，Appl. Phys. Lett. 96 (2): 023113-1–023113-3 (2010).

7. W. Zhou, J. L. Yang, G. S. Sun, X. F. Liu, A. Ji, F. H. Yang, Y. D. Yu, and J. M. Li, Fracture properties of silicon carbide thin films by bulge test of long rectangular membrane, IEEE J. Microelectromech. Syst. 17 (2): 453–461 (2008).

8. J. L. Yang, J. Gaspar, and O. Paul, Fracture properties of LPCVD silicon nitride and thermally grown silicon oxide thin films from the load-deflection of long Si3N4 and SiO2/Si3N4 diaphrams, IEEE J. Microelectromech. Syst. 17 (5): 1120–1134 (2008)

 

研究（技术）亮点

1. 研制了多种高Q高频/射频微纳谐振器件，在国内率先建立了宽频谱的微纳谐振器件表征系统。成功研制了高质量的圆盘谐振子，研究了其能量损失机理，频率达400 MHz，是目前国内报道的最高值，大气中Q >8000。实现了基于悬臂梁结构的高灵敏红外探测器和用于肝癌早诊的生化传感器，基于光压效应的悬臂梁红外探测器的灵敏度比基于电子应力效应的悬臂梁光子探测器高一个数量级。

2. 在国际上首次定量证实了微纳谐振结构中的表面能量损失，建立了微纳悬臂梁的机械能量损失模型，提出了提高Q值的有效方法。制备了超薄单晶硅悬臂梁，厚度最小达60 nm；使悬臂梁Q值提高了1~2个数量级。

3. 研制了快速、高灵敏的力传感器和高灵敏的AFM光学探测系统，使新AFM系统的力分辨率、扫描速度分别提高了5倍、10倍。

4. 开发了两种新的实验测试技术（张力测试和吹曲测试），建立了相应的理论模型，在国际上首次将吹曲测试方法推广到薄膜的可靠性表征。

5. 建立了国内首台微纳器件可靠性通用测试平台，为高可靠性的MEMS器件研制及产业化提供指导。

综上所述，在高Q高频/射频微纳机电谐振子及器件研究、高频/射频谐振器件测试系统建设、MEMS/NEMS薄膜材料和器件可靠性表征方法建立和测试平台的建设方面，取得了一系列突破性进展，得到了国内外同行的广泛关注。