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常春

时间:2024-01-22

 


工艺工程师

办公室

3号楼 310

电话

0108230 5147

传真

0108230 5141

电子邮件

changchun@semi.ac.cn

负责工艺

AOEPECVD,等

 

个人简历

2009/2—至今  中国科学院半导体研究所

2006/9——2009/4 哈尔滨理工大学  研究生部  材料学  研究生 工学硕士

2000/9——2004/7 哈尔滨理工大学  测控技术与通讯工程 本科  工学学士

 

研究领域

二氧化硅、氮化硅的淀积PECVD

二氧化硅、氮化硅等介质膜刻蚀AOE

硅的ICP刻蚀

 

研究(技术)亮点

积累了数据试验可连续性可变折射率介质膜氧化硅,氮氧化硅和氮化硅数据库,完善了之间连续性渐变折射率数据,调试工艺参数刻蚀了碳化硅,石英玻璃等较难刻蚀材质的材料试验等。

负责承接所内、所外相关二氧化硅、氮化硅的淀积PECVD,二氧化硅、氮化硅等介质膜刻蚀AOE和硅的ICP刻蚀需求,完成相关科研任务工艺,同时负责三台大型生产设备和一台检测设备的操作及维修维护。生产设备分别是:英国STS公司的二氧化硅ICPPECVD(等离子体增强化学气相沉积),法国的ALCATELL阿尔卡特深硅刻蚀设备。检测设备是美国Metricon公司的棱镜耦合仪。

维护保养PECVDICP设备的正常运行,保证设备工艺水平的稳定,机器的正常运行, 负责的完成各项相关器件如LED 太阳能电池 传感器及光学电子学器件所需相关工艺,高质量满足科研的不同要求。

同时负责质量体系ISO9001部份文件,并负责一些整套工艺加工的流程单。

 


               

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