常春
时间:2024-01-22
工艺工程师 | ||
办公室 | 3号楼 310 室 | |
电话 | (010)8230 5147 | |
传真 | (010)8230 5141 | |
电子邮件 | changchun@semi.ac.cn | |
负责工艺 | AOE、PECVD,等 |
个人简历
2009/2—至今 中国科学院半导体研究所
2006/9——2009/4 哈尔滨理工大学 研究生部 材料学 研究生 工学硕士
2000/9——2004/7 哈尔滨理工大学 测控技术与通讯工程 本科 工学学士
研究领域
二氧化硅、氮化硅的淀积PECVD,
二氧化硅、氮化硅等介质膜刻蚀AOE
硅的ICP刻蚀
研究(技术)亮点
积累了数据试验可连续性可变折射率介质膜氧化硅,氮氧化硅和氮化硅数据库,完善了之间连续性渐变折射率数据,调试工艺参数刻蚀了碳化硅,石英玻璃等较难刻蚀材质的材料试验等。
负责承接所内、所外相关二氧化硅、氮化硅的淀积PECVD,二氧化硅、氮化硅等介质膜刻蚀AOE和硅的ICP刻蚀需求,完成相关科研任务工艺,同时负责三台大型生产设备和一台检测设备的操作及维修维护。生产设备分别是:英国STS公司的二氧化硅ICP和PECVD(等离子体增强化学气相沉积),法国的ALCATELL阿尔卡特深硅刻蚀设备。检测设备是美国Metricon公司的棱镜耦合仪。
维护保养PECVD和ICP设备的正常运行,保证设备工艺水平的稳定,机器的正常运行, 负责的完成各项相关器件如LED 太阳能电池 传感器及光学电子学器件所需相关工艺,高质量满足科研的不同要求。
同时负责质量体系ISO9001部份文件,并负责一些整套工艺加工的流程单。