2015年12月24日集成技术中心在3号楼320会议室召开了年终工作总结报告会，会议由集成中心主任王晓东主持。

   首先，杨富华副所长对中心未来发展提出了新的期望，勉励大家继续发扬集体团结攻关的优良工作作风，认真总结提炼过去一年的工作，从基础前沿到系统应用做好布局。然后，三十多名中心职工分别汇报了本年度的工作情况，包括光刻、电子束光刻、ICP刻蚀、介质膜沉积及溅射、激光微区退火、金属蒸发退火、氧化、离子注入等一系列技术服务情况，相关同志还对承担的国家科技项目、所内外加工项目和企业合作项目做了汇报。

   2015年度集成技术中心取得了多项具有特色的技术研发进展，包括硅基横向InAs纳米线晶体管、MEMS传感器、用于癌症早诊的微纳生化传感器、GaN晶体管、微纳光学器件等。

   最后，王晓东主任做了会议总结。他希望新的一年里，大家再接再厉，在做好工艺服务和设备维护的基础上，继续开拓，为中心的发展做出贡献。

　　 　　 （集成技术中心供稿）