学术交流报告会

逻辑器件、存储器10纳米及以下技术代的先导图形化

（Advanced Patterning for Logic and Memory Devices in 10nm Technode and beyond）

时间：2018 年 6月 5 日（周二）上午 10:00

地点：中科院半导体研究所3号楼320会议室

摘要

本报告详细阐述了先进逻辑器件、存储器在先导工艺中的发展现状及挑战。报告会讨论目前工业界主流的先导图形化技术路线，包含基于浸润式光刻技术、超紫外光刻技术、以及自我排列式技术的图形化方案。本报告也会阐述多次曝光技术，比如光刻、刻蚀的循环，以及多次侧墙转移技术等。为了实现器件的小型化以及高集成度，更多的硬掩膜以及新材料陆续进入了大规模生产或者先进技术代的研发。考虑到存储器技术的特殊性，作者也会阐述如何在先导存储器指导工艺中，如何克服非挥发性金属刻蚀等技术难题。

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报告人简介

许开东，现任江苏鲁汶仪器有限公司董事长兼总经理。

u 1999 年毕业于北京大学化学学院。

u 2004 年取得鲁汶大学化学博士学位，先后在核心期刊发表论文70余篇，持有欧美专利 80余项。

u 2004年起，陆续在瑟斯半导体、科林研发、欧洲微电子研发中心（imec）等国际半导体巨头公司担任大项目经理、部门经理等职。

u 于 2015 年带领团队落户江苏省徐州市，建立鲁汶仪器有限公司。公司拥有“诺贝尔奖获得者工作室”、江苏省“双创团队”、“双创个人”、国家级“高新技术企业”称号。公司的重心是研发-生产-销售用于半导体实验室及生产用的仪器设备，核心产品为磁存储器刻蚀设备。

u 曾担任比利时华人专业人士协会第六届学术理事及第七届外交副会长。

u 中科院微电子研究所客座研究员。

u 从 2010 年起参与 CSTIC 学术会议组委会，并多次主持刻蚀分会会议。

                       

                                                            半导体集成技术工程研究中心