1960年由北京大学毕业即进入中国科学院半导体研究所的王圩老师，从事半导体材料和光电子器件行业已有57个年头。早期设计硅单晶炉，开展Si单晶材料生长，接着开展GaAs液相外延及其异质结材料生长，即使在文革期间，也一直埋头科研，攻坚克难。学而优则仕，演而优则导，1975年王老师由材料生长转入III-V族光电子器件研究，由其负责完成的GaAs/GaAlAs单异质结短波长边发射/面发射发光管研究成果，于1980年获中国科学院科技成果二等奖；1979年底开展InP基长波长1.55μm激光器研究，1981年研制成功室温连续工作的1.55μm质子轰击条形激光器；随后参与了1.3μm激光器的“六五”攻关任务，于1986年获中国科学院科技进步二等奖；1987年在中国科学院半导体研究所创建了分布反馈（DFB）激光器研究小组（简称DFB组），利用自制液相外延炉解决了外延回溶问题，于1988年底首次在国内研制出含亚微米级光栅的1.55μm动态单模DFB激光器，成为我国第三代光通信激光光源诞生的标制。单模DFB激光器为北京大学、清华大学等众多光通信科研单位送去了及时雨，为国家光通信系统的研发和建立作出重要贡献，并促使美、欧、日等西方国家随后解除了对我国部分光通信器件的禁运。该成果在1991年和1992年分别荣获中国科学院和国家科技进步二等奖。此后，随着MOCVD设备的引进，DFB组在王老师的带领下，科研成果如雨后春笋，层出不穷。主要体现在以下三个层面：
1. 材料技术方面：先后开发出对接耦合、选择区域、集束波导、偏移量子阱、叠层双有源区等材料集成技术，InGaAsP/InP系多量子阱（MQW）、InGaAlAs/InP系MQW、大应变长波长（1.6-2.0μm）MQW、应变和应变补偿MQW材料生长技术和量子阱混杂蓝移能带工程材料技术等，实现了多类材料和波导的能带调控功能。
2. 新器件方面：相继研制出应变和应变补偿量子阱DFB激光器、双段和多段式波长可调谐T-DFB激光器、偏振不灵敏半导体光放大器（SOA）、多段式放大反馈（AFL）和自脉动DFB激光器、1064nm大功率和窄线宽高线性DFB激光器、电吸收调制器（EAM）和电吸收调制激光器（EML）、2.5 Gb/s-10 Gb/s到25 Gb/s-40 Gb/s单片集成EML、宽谱可调谐TEML集成、EAM与模斑转换器（SSC）集成、EAM与SOA和SSC集成的高速脉冲译码器、“与”门光逻辑单元、取样光栅宽可调范围的分布布拉格（DBR）激光器、DFB直调激光器阵列、EML集成调制光发射阵列、波长可调DBR激光器阵列、高速光信息处理集成芯片、4X10Gb/s DFB激光器+多模干涉耦合器（MMI）光子集成芯片（PIC）、4X10Gb/s DFB激光器+MMI+SOA集成PIC、4X10 Gb/s EML+MMI集成PIC、10X10Gb/s高速直调DFB激光器+MMI集成PIC、10X10Gb/s高速并行TEML+MMI集成PIC、DFB激光器阵列和Si基波导的混合集成器件等等，逐步建立和完善了InP基光电子器件功能集成技术平台。
3. 应用和产业转化方面：2.5Gb/s DFB激光器模块早期应用于从山西榆次至榆社103公里的波分复用演播级通信示范工程；10Gb/s EML模块成功进行了10Gb/s、53公里的G.652光纤传输试验；1.3μm—2.0μm特定谱线的DFB激光器在煤矿、城市地下天然气管道泄漏预警、汽车尾气超标检测和石油储存罐、运输船危爆特气探测等多领域发挥显著功效；DFB激光器产业化工作正在河南仕佳光子科技股份有限公司开足马力、如火如荼地进行之中。
期间1.3μm和1.55μm DFB动态单模激光器成果于1996年和1997年分别荣获中国科学院科技进步一等奖和国家科技进步二等奖；InP基光电子功能材料集成技术平台于2006年获中国材料研究学会科学技术一等奖。
记得当年“75”攻关DFB激光器的年份，王老师指挥大家轮流值班，夜以继日地进行系列科学实验，寻找最佳配比和条件。他本人更是以身作则，天天加班加点，时常工作到深夜。我经常看到他在自制的液相外延炉附近对比测试数据、计算新方案配比，称量各种原料，掐着秒表，盯住炉温，抽动拉杆。最后硬是在西方各国严密封锁技术和设备的艰苦环境下，凭着精益求精的科学态度、一丝不苟的认真精神和百折不挠的坚韧毅力，克服了一道道难关，解决了一个个难题。尤其是在光栅回溶难题上，他与同事们反复调整配比和外延条件，试验上百次，摸索出抗回溶液相外延新技术，研制出第一批脊型波导DFB激光器，在多家单位的角逐和测评中突颖而出，开创了我国第三代光通信用单模激光光源的新世纪。
对待科研事业执着热情，亲力亲为，全力投入，理论联系实际，长期在第一线从事材料生长、器件工艺和测试分析研究，是王老师能够带领团队取得诸多成果的关键所在。
严于律己，但对同事和学生十分包容和宽厚。哪位同事生病，哪位学生家庭有困难，王老师都即时前往嘘寒问暖、关怀备至。即使年近80岁，他每年都要亲自带队去看望已经退休的组内同事，带去DFB团队的温暖和问候。这一优良传统一直延续至今，并将继续延续下去。
在科学研究工作和成果汇报上，王老师历来是有一说一，有二说二，从不为了得奖或争取课题而刻意美化修饰成果。即使是外单位到我们这里来寻求DFB激光器进行试验，只要是经组里送出去的管芯，也一律都要经过严格的筛选和考核，参数、性能和图谱都标注的一清二楚，让使用者用起来特别踏实。
王老师一辈子从事光电子行业不动摇，从Si基和III-V族基础材料生长开始，过渡到III-V光电子器件，最后认准了InP基材料及其器件，38年在该领域埋头耕耘，坚持不懈，毫不动摇，由分立器件到集成器件，到如今的较大规模的光子集成PIC器件，由小做大，由大做强，新器件种类、性能和集成度与日增加、不断提升，为我国的光电子行业打破国际垄断、冲向世界作出了卓越的贡献。
理论联系实际的科学态度、一杆子到底的执著精神、严于律己的工作作风、实事求是的自我评价和宽以待人的谦和风格，王老师是我们的光辉榜样和人生楷模。
值此王老师80岁华诞和由他亲自创建的DFB组成立30周年之际，衷心祝愿王老师健康长寿、他创建的DFB组朝气蓬勃，蒸蒸日上！
（节选自《惟实求真—王圩院士文集》作者：朱洪亮）