首 页 >> 单篇全文
基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱材料中光电特性的理论研究
[2023-03-13]

基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱材料中光电特性的理论研究

魏相飞 固体物理研究所

导师:徐文

4656205.pdf