伊晓燕，女，博士，研究员，博士生导师。

2006年6月获中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学博士学位。现任中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，国家重点研发计划项目负责人，中国科学院大学教授，中国科学院青促会会员，北京市第三代半导体材料与应用工程中心副主任。

主要从事氮化物材料与新型光电子器件研究，主要研究领域包括：宽禁带半导体材料高效发光器件、面向下一代光互连光电器件、脑机接口/神经调控用光电器件及系统集成等。作为项目负责人主持并完成国家重点研发计划、863计划、国家自然科学基金等10余项国家任务。在氮化物材料与发光器件领域发表学术论文170余篇，授权专利45件，6项成果通过成果鉴定。获国家科技进步一等奖、国家技术发明二等奖、北京市科技发明一等奖、中国优秀专利奖等。

主要研究方向：

1）氮化物发光二级管量子效率提升技术研究

2）下一代光互连用Micro-LED芯片技术

3）脑机接口/神经调控用光电器件及系统集成

4）Micro-LED芯片级光场调控及新型显示技术

5）新型神经拟态器件研究

联系方式：

E-mail：spring@semi.ac.cn； 电话：010-82305476

近五年代表性论文：

[1]Linear flip-chipped resonant-cavity green μLEDs arrays for low-crosstalk optogenetic probes with low damage, Applied Physics Reviews, 2025, 12(1): 011418

[2]Recent Advances in Mechanically Transferable III‐Nitride Based on 2D Buffer Strategy, Advanced Functional Materials, 2023, 2209880

[3]Electrical Characteristics and Photodetection Mechanism of TiO2/AlGaN/GaN Heterostructure-Based Ultraviolet Detectors with a Schottky Junction, Journal of Materials Chemistry C, 2023, 11(5): 1704-1713

[4]GaN-based resonant cavity micro-LEDs for AR application, Applied physics Letters, 2022, 121(20): 201104

[5]Graphene‐Nanorod Enhanced Quasi‐Van Der Waals Epitaxy for High Indium Composition Nitride Films, Small, 2021, 17(19): 2100098