杨晓红，女，博士，研究员，博士生导师。

1995和1998年获得西安交通大学理学学士和硕士学位。2001年中国科学院半导体研究所获得博士学位，之后两年在集成光电子学国家重点实验室做博士后研究，出站后留所工作至今，期间2009~2010年剑桥大学Canvendish实验室学术访问。2015年起，聘任为中国科学院大学（国科大）岗位教授。目前是光电子材料和器件全国重点实验室研究员，光电探测与集成课题组长。于2025年获北京市 “首都高聚工程” 科技创新领军人才称号。

面向量子科技、6G光通信等前沿领域，研究新一代的光电探测器件及应用系统。基于在半导体光电探测领域20多年积累，对光电器件结构、载流子输运、3D模拟等方面的深入研究，从第一性原理出发，设计新型器件并突破各种关键工艺和测试技术，开创性提出光电串扰的概念和电场疏导的噪声隔离机制，完成近红外InGaAs/InP高探测效率低暗计数单光子探测器（SPAD）阵列，完成AlGaAsSb低噪声APD、30GHz高速InAlAs APD，宽带百mW高功率单载流子探测器等，达到国际先进水平。作为项目负责人完成多项国家重点研发计划和国家自然基金项目。发表包括Nat.commun.、JLT、OE、PTL、JoS等专业期刊在内的60多篇学术论文，拥有10多项授权专利。

主要研究领域方向：

目前主要专注于高频、高灵敏度、高增益、新材料新结构光电探测器件的设计、制备和器件应用研究，包括：

1) 高速雪崩探测器APD；

2) 单光子探测器及阵列；

3) 高功率高线性光电探测器等。

 E-mail: xhyang@semi.ac.cn

电话：010-82304178

近期主要文章

1.Y H He, R Wang, Y Liang, Y Q Xu, G W Wang, H Q Ni, S Wang, Z C Niu, and X H Yang, Mesa-structured AlGaAsSb APD: dark current and noise analysis[J]. J. Semicond., 2025, 46(11), 112401 doi: 10.1088/1674-4926/25020025

2.Rui Wang et al “A high-speed avalanche photodiode with large coupling tolerance” Semicond. Sci. Technol. 2025, 40 075005.   DOI 10.1088/1361-6641/ade6a3

3.Tang, Y., Wang, R., Yang, X. et al. High crosstalk suppression in InGaAs/InP single-photon avalanche diode arrays by carrier extraction structure. Nat Commun 15, 593 (2024). https://doi.org/10.1038/s41467-023-43341-9

4.Yijun Liu, Xiaohong Yang, RuiWang and Yongsheng Tang “Excess noise factor measurement for low-noise high-speed avalanche photodiodes”, Phys. Scr. 2023, 98 105517, DOI 10.1088/1402-4896/acf629

5.T T He, X H Yang, Y S Tang, R Wang, Y J Liu. High photon detection efficiency InGaAs/InP single photon avalanche diode at 250 K[J]. J. Semicond, 2022, 43(10): 102301. doi: 10.1088/1674-4926/43/10/102301

6.Tingting He, Xiaohong Yang, Yongsheng Tang,Rui Wang and Yijun Liu, “Quantitative analysis of edge breakdown effect of Geiger mode avalanche photo-diodes utilizing optical probe scanning method” Semicond. Sci. Technol. 2022, 37 055006，doi:10.1088/1361-6641/ac5bf7

7. R. Wang, X. Yang, H. Wang, T. He and Y. Tang, "A Modified Equivalent Circuit Model for High-Speed InGaAs/InAlAs Avalanche Photodiodes," Journal of Lightwave Technology, vol. 40, no. 9, pp. 2944-2951, 1 May1, 2022, doi:  10.1109/JLT.2022.3146566

8.H. Wang, X. Yang†, R. Wang, T. He, and K. Liu, "Low dark current and high gain-bandwidth product of avalanche photodiodes: optimization and realization," Opt. Express 28, 16211-16229 (2020). https://doi.org/10.1364/OE.393063

9.R. Wang, X. Yang, H. Wang, and T. He, "High-Speed InGaAs/InAlAs Avalanche Photodiode with Low Dark Current," in Asia Communications and Photonics Conference/International Conference on Information Photonics and Optical Communications 2020 (ACP/IPOC), OSA Technical Digest (Optical Society of America, 2020), paper M4A.153. DOI:  10.1364/ACPC.2020.M4A.153

10.Hui Wang, Tingting He, Kaibao Liu, Rui Wang, Han Ye, and Xiaohong Yang† “Photocurrent Saturation and Thermal Breakdown Mechanism in Modified Uni-Traveling-Carrier Photodetectors ” J. Nanosci. Nanotechnol. 18, 7369–7373, 2018(SCI) DOI: 10.1166/jnn.2018.16072