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John P. R. David教授将于2023年8月14日来所交流并在黄昆半导体科学技术论坛上作第368期报告

国际合作 尚雅轩 2023-08-08阅读量:

应牛智川研究员的邀请,John P. R. David教授将于2023年8月14日来所交流并在黄昆半导体科学技术论坛上作第368期报告。请感兴趣的老师同学准时参加!

报告题目: The Development of Low Noise Avalanche Photodiodes

报告人:Prof. John P. R. David(Department of Electronic and Electrical Enineering, University of Sheffield, Sheffield, S1 3JD, UK)

报告时间:2023年8月14日(星期一)  下午14:30 

报告地点在中国科学院半导体研究所 2号楼303A

详细报告信息请见附件!

368期.pdf