所属各部门：

为加强所内外各科研方向之间的学术交流与相互了解，围绕半导体领域的重点攻关方向进行头脑风暴，形成轻松活跃的学术氛围，凝练新的科学与技术问题，碰撞出高度合作的全链条解决方案，为重大项目部署建言献策，半导体学术沙龙将于2025年1月16日在半导体所3号楼332会议室(原320会议室)举行，诚邀各位老师和同学的参与！

本期主题-题目：半导体缺陷对4H-SiC器件电学性能的影响

报告人：林天翔

主持人：伊晓燕

联系人/记录员：贾政恺

时  间：2025年1月16日 14:30

地  点：中国科学院半导体研究所3号楼332会议室(原320会议室)

摘  要：

近年来，4H-SiC作为第三代半导体，因为其宽带隙的特点吸引的广泛的注意。相比于现今比较常用的半导体材料比如硅，4H-SiC具有的更宽的带隙使其可以在更极端的温度以及更高的输出频率下稳定工作。因此其更多被应用在雷达、传感器、太阳能电池以及新能源汽车等领域。然而，4H-SiC材料内的缺陷对器件的电学性能有很大的影响。为了电学表现更好的器件，改良4H-SiC器件的制备工艺以减少材料内缺陷的产生必不可少。这里我们针对4H-SiC器件结势垒肖特基二极管的制备流程进行改良优化，通过降低退火温度以及添加氧化牺牲层的方式，有效地降低了器件当中碳空位的产生，并以此将器件的漏电流抑制到原来的70%。同时将阴极发光能谱和样品漏电流联系了起来，为生产线上快速的器件漏电流检测提供了思路。

报告人简介：

林天翔，男，广州实验室博士后。2018年本科毕业于中山大学，于2019年12月在美国卡内基梅隆大学获得硕士学位。2020年10月至2024年10月，在香港大学物理系攻读博士，并于毕业后前往广州实验室进行博士后研究工作。科研工作的主要方向在宽带隙半导体上。在博士期间，致力于4H-SiC器件的制备以及性能的优化上，独立以及合作在IEEE EDL；Semicond Sci Tech；Adv.Electron. Mater.等期刊发表论文4篇。