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半导体所游经碧研究员荣获第九届“中国侨界贡献奖”

信息宣传 党办 2022-09-22阅读量:

  

9月21日,第九届新侨创新创业成果交流活动在北京举行,会议公布了中国侨联关于表彰第九届“侨界贡献奖”获奖者的决定,授予128名同志“侨界贡献奖”,其中半导体所归侨游经碧研究员荣获“侨界贡献奖”二等奖。

游经碧,研究员、博士生导师。2010年于半导体所获博士学位;2010年至2015年在美国从事博士后研究工作;2015年回国,加入半导体所材料科学重点实验室。长期从事有机及有机/无机杂化半导体光电器件研究工作,取得了一系列创新性研究成果。先后入选中组部海外高层次人才计划、北京市青年拔尖人才,获2021年度中国科学院“青年科学家奖”以及2022年中国科学院大学“领雁银奖”等荣誉。

据了解“中国侨界贡献奖”由中国侨联于2003年设立,每两年举办一次。该奖是面向中国侨界创新创业的奖项,旨在展示和表彰新侨回国后的创新创业成果,以吸引更多的海外侨界人才以多种形式为国服务。

  (党办)