2025年6月26日，在中国共产党成立104周年之际，离退休党总支隆重举行“光荣在党50年”纪念章颁发仪式。党委书记、副所长冯仁国向他们颁发“光荣在党50年”纪念章。开展纪念章颁发活动，既是对老党员们的关爱关怀，更是对一路拼搏奋进的共产党人的充分肯定。

现将获得纪念章的老党员情况介绍如下：

获奖者一：俞育德，1953年11月出生于上海，中共党员，研究员。1974年10月加入中国共产党。1977年毕业于中国科技大学物理系晶体物理专业，毕业后分配到中国科学院物理研究所工作。1977-2003年在物理研究所工作期间，开展了非线性光学特性碘酸盐和碱土碘酸盐体系、稀土储氢材料以及混合稀土RmNi5型的化合物及超导材料等的合成、相图测定和化合物晶体结构分析研究；利用中子散射研究了CuI晶体在不同温度下离子的振动模式、扩散路径和离子导电机制；1996-2004年担任空间材料科学分系统指挥，组织实施了神舟2号、神舟3号飞船的空间材料科学研究。曾任中国科学院物理所科技处处长、副所长等职务。

2003年调入半导体研究所，任半导体所副所长，负责分管科研管理、国际合作、质量体系、研究生等方面工作。先后完成模块化基因测序设备、数字化PCR仪、快速PCR、光学超分辨成像、片上集成光学器件和系统的研制工作。发表论文近百篇，60多项专利授权。

工作期间曾获院科技进步二等奖、三等奖各一次；获国家自然科学三等奖一次。

获奖者二：钟战天，1938年5月生于上海，湖南平江县人。中共党员，研究员。1963年9月毕业于中国科技大学，毕业后分配到半导体研究所工作。1975年5月，正式加入中国共产党，在所里长期从事表面界面物理研究，曾担任半导体所物理室主任，物理部主任，以及国家重点表面物理实验室副主任等职。曾获中国科学院自然科学二等奖，中国科学院科技进步一等奖和国家科技进步三等奖。在国内外著名刊物和学术会议上发表近百篇学术论文。

在物理室工作期间，他曾协助黄昆先生，建设和发展研究所的基础物理研究，赶超世界先进水平；并建立了物理部和国家重点表面物理实验室，担任物理部主任和实验室副主任。1984年，参加国家重点大工程“正负电子对撞机建设”，负责其中的同步辐射光源利用实验室的筹备和设计，该工程项目曾获得国家科技特等奖。争取和创建了国内首批国家开放实验室：“表面物理实验室”，作为实验室筹备领导小组成员，代表半导体所提出了研究方向和论证方案。在该实验室工作期间，专心致力于表面界面研究，取得很多成果和奖励，合作完成了非晶态Si和AlGaP固溶体和们的光电子谱研究，以及GaAs氧化膜、Al,Au等金属与GaAs界面反应和GaAs/Si多种异质结界面研究等方面研究，取得了众多成果。

获奖者三：王勇，1949年1月出生于北京，1965年在半导体所参加工作，1974年正式加入中国共产党，曾在所办、基建办、车队工作，他在工作岗位上以共产党员的标准严格要求自己，通过为科研服务，在平凡的岗位上做出了不平凡的贡献，为研究所发展做出了积极贡献。

获奖者四：刘津一，生于1952年6月。1979年毕业于中国科技大学，于1975年6月加入中国共产党，曾在半导体研究所理化室、劳动服务公司、技术服务处和安保部工作，曾任处党总支书记等职务，在党务工作上勤勤恳恳，工作岗位上兢兢业业，为半导体所的发展贡献了自己的力量。

离退休党总支