为进一步提高从事集成电路先导器件与工艺相关研发人才队伍的理论水平和研究能力，由中国科学院人事局资助，中国科学院微电子研究所主办的“Si基CMOS器件及光电器件技术”高级研讨培训班将于2014年12月2日-4日在北京举行。现将有关培训事宜通知如下：

    一、主要培训内容

    1.22nm及以下CMOS技术节点的前道工艺(FEOL，HKMG技术，闫江研究员，2小时30分)

    2.22nm及以下CMOS技术节点的后道工艺(BEOL，铜互连及low-k技术，赵超研究员，2小时30分)

    3.16/14nm及以下CMOS技术节点的三维器件技术(FinFET等，朱慧珑研究员，2小时30分)

    4.193nm浸没式光刻中的分辨率增强技术(SMO，OPC，SRAF及ILT等，韦亚一研究员，2小时30分)

    5.针对10nm及以下技术节点逻辑器件的图形化技术

    6.基于硅工艺的光电器件技术

    二、参加培训人员范围

    从事集成电路器件与工艺和硅基光电子器件研究的工程技术人员、科研工作者以及研究生等。

    三、培训事项

    1. 培训时间：2014年12月2-4日。具体报到时间地点后续通知。

    2.培训地点：中科院微电子研究所

    3.相关费用：

    1)此次培训不收取培训费

    2)此次培训不统一安排住宿及交通，请学员自行解决

    3)会务组可协助订餐，费用自理

    四、报名事项

    1.报名截止时间：2014年11月28日

    2.请于报名截止前将报名回执表(见附件)发送到联系人电子邮箱。由于培训涉及实际操作，为保证培训效果，学员名额有限，组办方将根据报名先后顺序确定参训人员。

    请将回执表同时抄送给所人事处马亚丽邮箱备案：mayl@semi.ac.cn 只限职工报名

    五、联系方式及地址、交通

    中国科学院微电子研究所

    北京市朝阳区北土城西路3号 100029

    联系电话：010-82995846

    E-mail : hr@ime.ac.cn

    乘车：地铁十号线北土城西路站D2口西行。

    或84、81、82、654、21 北土城西路东口站下车西行。

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