近年来，碳化硅等宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的重点。宽禁带半导体正在光伏逆变器、新能源汽车和5G通信应用牵引下逐步形成巨大规模的产业。为了推动亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业与学术的发展，加强交流与协同创新，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟和中科院物理研究所发起并于2018年7月9日-12日在北京举行成功主办了第一届亚太碳化硅及相关材料国际会议（2018年）（The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials（APCSCRM 2018）），来自瑞士、美国、日本、瑞典、德国、俄罗斯、韩国、中国台湾十余个国家或地区代表参加了APCSCRM 2018会议，参会人数近400余人，其中产业界代表160余人，学术界150余人，政府、金融界等其他参会代表90余人。第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2019）将于2019年7月17日-20日在北京市海淀区（北京世纪金源大饭店）举行，参会规模500余人。

此次会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和功率器件研发以及相关设备研发、宽禁带半导体器件封装模块产业及标准化发展等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。深信这次会议必将对亚太地区宽碳化硅等宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。

APCSCRM是一个亚太地区高水平的碳化硅等宽禁带半导体相关材料、器件的产业与学术并重的高水平研讨会。

为鼓励宽禁带半导体材料生长、器件制备及封装和器件模块应用、产业及标准化发展等领域理论和技术的学习与交流，会议将开展论文交流活动，欢迎国内外高校、科研院所和企事业单位的宽禁带半导体材料、器件、应用、产业及标准领域的专业人员投稿并与会交流，被录用的论文将择优在“Journal of Crystal Growth” （SCI收录）、“Materials science forum ” （EI收录）杂志全文出版发表。现将有关事项通知如下：

1）征文范围：

①凡以宽禁带半导体为论述主体（标准化及EHS可扩充到所有半导体领域），在理论或应用实践上具有创新价值的，有科学依据和可靠数据的技术报告，阶段性成果报告，以及属于前沿技术，并对宽禁带半导体学科发展有指导意义的展望评论性论文，均可投稿。

②部分优秀论文作者有机会在会场展示自己的研究！

2）论文投稿注意事项：

摘要截稿日期：2019年6月17日

投稿地址：

http://www.apcscrm2019.iawbs.com

论文题目范围：

①宽禁带半导体材料生长与外延技术；

②宽禁带半导体器件及测试分析技术；

③宽禁带半导体器件封装模块、系统解决方案及应用；

④半导体产业标准化及EHS发展。

稿件要求：

①只接受英文稿件；

②内容具体，突出创新研究成果，具有重要的学术价值或推广应用价值；

③原创的、未发表的研究成果、技术综述、工作经验总结或技术进展报告；

④不得涉及国家秘密

3）投稿说明：

摘要投稿，请您通过APCSCRM官网在线投稿

投稿人请随时关注论文评审情况（APCSCRM官网在线投稿系统）。

4）相关费用：

论文费用：会议投稿免费；若被期刊录用，需要缴纳2000元。

5）交纳方式：

银行汇款

开户名称：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

开户银行：北京农村商业银行股份有限公司北臧村支行

收款账号：0905000103000006397

请在汇款后发送凭证至：

liuyichen@iawbs.com

备注“APCSCRM+费用类别+汇款单位/注册姓名”；

网银、微信或支付宝在线支付（会议官网有支付链接）

（会议官网支付后请备注“APCSCRM+费用类别+汇款单位/注册姓名”。）

在2019年6月17日之前注册缴费享优惠！

6）投稿联系人

陈鹏

+8610-61256850-637

mishuchu@iawbs.com