沈桂英，女，博士，副研究员，硕士生导师。
2018年7月于中国科学院半导体研究所获得材料物理与化学博士学位，2022年9月任副研究员，主要从事磷化铟、锑化镓和砷化铟等半导体单晶材料生长技术、原生缺陷、衬底制备及材料在光电子和微电子器件方面的应用研究。
取得的重要科研成果及所获奖励：
主要从事III-V族化合物半导体单晶材料的生长技术、材料缺陷和杂质、衬底制备以及材料在光电子和微电子器件上的应用研究。开展了2-4英寸InAs单晶的VGF技术生长及衬底制备研究工作，成功制备得到2-4英寸VGF-InAs单晶衬底，晶体中位错密度低于2000cm-2。开展了GaSb单晶的LEC生长及数值模拟，磷化铟多晶水平高压合成技术，亚表面晶格损伤识别和磷化物多晶合成技术等研究工作，提出清晰显示砷化铟衬底位错缺陷的腐蚀液并阐明其腐蚀机理，揭示了锑化镓衬底表面残留颗粒吸附的主要机理。为实现2-4英寸开盒即用锑化镓衬底和砷化铟衬底的批量化生产及II类超晶格红外探测成像应用等做出重要贡献，有效打破国外长期禁运政策，实现了锑化镓衬底的国产替代。先后在Journal of Crystal Growth, Material Science Express, Journal of Electronic Material等期刊上发表论文二十余篇，授权发明专利三件。
主要研究领域方向：
1. 新型半导体单晶材料的制备；
2. 大尺寸GaSb、InAs和InP单晶的生长、缺陷表征及材料物性研究；
3. 晶体加工及衬底制备技术；
4. 半导体材料多晶及多元合金材料的合成与制备。
联系方式：
邮箱： shenguiying@semi.ac.cn; 电话：010-82304848
在研/完成项目：
1. 国家自然科金青年基金项目，内生富镓对GaSb单晶表面、异质结界面及相关性质的影响，2020.01-2022.12，项目负责人，25万。
2. GXB项目，XXX，2021.06-2023.05，课题负责人，397万。
代表性论文或著作：
1. G.Y. Shen, Y.W. Zhao, J.M. Liu, et al. Oxidation related particles on GaSb (100) substrate surfaces, J. Cryst. Growth, 581, 126499 (2022).
2. G.Y. Shen, Y.W. Zhao*, J. Sun, et al. A comparison of defects between InAs single crystals grown by LEC and VGF methods, J. Electron. Mater. 49, 5104 (2020).
3. G.Y. Shen, Y.W. Zhao*, J. Sun, et al. HCl-H2SO4-H2O solution etching behavior of InAs (100) surface. J. Cryst. Growth. 547 (2020).
4. G.Y. Shen, Y.W. Zhao, D. Yu, et al. Electrical conduction of C-implanted InAs single crystal. Mater. Res. Express. 6, 055913 (2019).
5. G.Y. Shen, Y.W. Zhao, Y.B. Bai, et al. Photoluminescene study acceptor defects in lightly doped n type GaSb single crystals. J. Semicond. 40, 042101 (2019).
6. G.Y. Shen, Y.W. Zhao, Y.B. Bai, et al. Impurity band conduction in Mn-doped p type InAs single crystal, Mat. Sci. Semicon. Proc. 84, 115 (2018).
7. G.Y. Shen, Y.W. Zhao, J.M. Liu, et al. LVM Spectroscopy Investigation of Complex Defects in InAs Single Crystals Grown by the LEC Method, 47, 4998 (2018).
8. G.Y. Shen, Y.W. Zhao, Z. Y. Dong, et al. Enhancement of below gap transmission of InAs single crystal via suppression of native defects, Mat. Res. Exp, 4, 036203 (2017).