颜伟，男，博士，高级工程师，硕士生导师。

2007年南开大学物理学院获学士学位，2013年毕业于中科院半导体所并获得工学博士学位，之后在半导体所集成技术工程研究中心工作至今，目前任高级工程师。主要研究领域有氮化镓基射频及太赫兹器件等。在半导体光电子和微电子器件的制备方面有丰富的实践经验。近年来作为课题负责人承担国家自然基金面上项目1项，青年基金项目1项；作为子课题负责人承担科技部重点研发项目1项；作为项目骨干或一般人员参与科研项目6项。协助指导博士生3名，硕士生2名。发表SCI和EI文章共计24篇，一作和通讯作者8篇，专利申请10项，授权7项。

取得的重要科研成果及所获奖励：

1. 研制出高性能T形栅 GaN HEMT射频晶体管。通过开发二次图形转移工艺和多步退火工艺，将器件的栅长缩短至50nm，器件比接触电阻率降低3个数量级，器件的高频性能提升3倍。相关文章被引用次数达到了43次。

2. 在国际上首次揭示了晶体管太赫兹器件的探测响应度随衬底厚度增加呈周期性振荡，此规律为后续太赫兹探测器的设计提供了重要参考，该成果发表在一区期刊上面（IEEE J SEL TOP QUANT）。通过集成阻抗匹配的天线结构，最终制备的GaN HEMT探测器响应度超过4.9 kV/W。

3. 通过解决微纳半导体器件图形转移过程中的核心难题，制备出超低损耗波导（波导损耗＜0.1dB/cm）；高速调制器（实现了创纪录的带宽> 100GHz,  数据传输速率> 120 Gbaud）。

主要研究领域方向：

1. 氮化镓基射频放大器及太赫兹器件

2. 氮化镓基太赫兹探测器

3. 半导体微纳器件制备工艺研发

联系方式：

E-mail: yanwei@semi.ac.cn; 办公电话：010-82305403；

在研/完成项目：

1. 国家重点研发计划，蓝光LD材料与器件生产示范线，2018年~2022年，子课题负责人。

2. 国家自然科学基金面上项目，侧栅结构氮化镓基高电子晶体管太赫兹探测器共振探测研究，2020年~2023年，项目负责人。

3. 国家自然科学基金青年项目，高电子迁移率晶体管太赫兹探测器的天线匹配设计与探测机理研究， 2016年~2018年，项目负责人。

代表性论文：

1. Huang, Z., Yan, W., Li, Z., et al. High-Responsivity, Low-Leakage Current, Ultra-Fast Terahertz Detectors Based on a GaN High-Electron-Mobility Transistor with Integrated Bowtie Antennas. Sensors, 2022. 22(3): 933.

2. Huang, Z., Yan, W., Li, Z., et al, Modelling effects of GaN HEMTs terahertz detectors with spiral antennas. Series Modelling effects of GaN HEMTs terahertz detectors with spiral antennas, ed. Series Editor. Vol. 12061. : SPIE, 2021.

3. Huang, Z., Li, Z., Dong, H., et al. Novel Broadband Slot-Spiral Antenna for Terahertz Applications. Photonics, 2021. 8(4).

4. 王晓东, 颜伟, 李兆峰, et al. 平面天线在场效应晶体管太赫兹探测器中的应用. 中国光学, 2020. 13(1): 1-13.

5. Zhang, B.-W., Yan, W., Li, Z.-F., et al. An effective method for antenna design in field effect transistor terahertz detectors. The Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2018. 37(4): 398-392.

6. But, D.B., Sai, P., Yahniuk, I., et al. Millimetre band detectors based on GaN/AlGaN HEMT. in 2018 22nd International Microwave and Radar Conference (MIKON). 2018.

7. Zhang, B., Yan, W., Li, Z., et al. Analysis of Substrate Effect in Field Effect Transistor Terahertz Detectors. Ieee Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2017. 23(4).

8. Szkudlarek, K., Cywinski, G., Yahniuk, I., et al, PAMBE grown THz wide range detectors based on GaN/AlGaN HEMT. Series PAMBE grown THz wide range detectors based on GaN/AlGaN HEMT, ed. Series Editor., 2017.

9. 白龙，颜伟，杨富华。太赫兹波探测器。授权时间：2017-03-08。中国。专利号：ZL 201510029446.1

10. 董慧; 颜伟; 黄镇; 李兆峰; 王晓东; 杨富华。侧栅晶体管太赫兹探测器及其制备方法。授权时间：2023-01-20。中国。专利号：ZL 202011566704.7