姚威振，男，博士，副研究员，硕士生导师。
中国科学院半导体研究所副研究员，九三学社第十五届中央委员会科普工作委员会委员，北京市特聘专家。2018年获法国图尔大学工学博士学位；2018-2020年在中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室从事博士后研究。曾担任国际著名功率半导体公司STMicroelectronics骨干研发工程师，研究课题获得法国国家科学技术促进会（ANRT）Cifre项目基金资助。
取得的重要科研成果及所获奖励：
1) 系统研究了多层薄膜材料的微观力学行为，建立了能够精确预测薄膜应力和大尺寸晶圆翘曲度的解析模型。2) 通过引入InGaN/GaN预阱结构降低面内压应力有效抑制QCSE效应，并利用V坑缺陷增强空穴注入能力，实现了GaN基半导体长波长LED外延片制备生长。3) 结合纳米压痕实验，研究了量子阱中位错形核机制，建立了相关有限元模型，优化了GaN:C生长工艺和临界厚度，揭示了GaN:C对沟道层和势垒层晶体质量和热应力影响机制。4) 采用脉冲模式对AlN/AlGaN材料进行应力调控，揭示了Al、Ga原子并入与表面形貌相互影响机制。5) 负责自主设计并研制了一台具有温度梯度主动调节和气源预处理功能的国产化中试型MOCVD实验设备，可生长6英寸和8英寸GaN基外延片材料，该设备经材料生长工艺验证具有很好的重复性和可靠性。
主要研究领域方向：
1. 氮化物半导体材料的MOCVD外延生长及缺陷与应力调控；
2. 氮化物半导体功率电子器件物理与制备；
3. 氮化物半导体长波长发光材料与器件；
4. 新型MOCVD设备研制与应用。
联系方式：
E-mail: wz-yao@semi.ac.cn ；电话：010-82304968
在研/完成项目：
1. 国家自然科学基金：“InGaN/GaN红光材料V坑缺陷主动调控机理与方法研究”，项目负责人
2. 中科院半导体研究所青年科技人才推进计划项目：“大尺寸硅衬底氮化镓Micro-LED外延片材料制备生长研究”，项目负责人
3. 企业委托项目：“4~8英寸硅基GaN外延片材料中试型MOCVD设备研制”，项目负责人
参与其它科研项目2项。
代表性论文：
1. Huidan Niu, Weizhen Yao*, Shaoyan Yang*, Xianglin Liu, Qingqing Chen, Lianshan Wang, Huanhua Wang and Zhanguo Wang. Effects of pressure on GaN growth in a specific warm-wall MOCVD reactor. CrystEngComm, 2023 (8): 1263-1269.
2. Mengyao Geng, Huixing Meng*, Weizhen Yao* and Xianglin Liu, Reliability Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition Device, in: The Proceeding of the 2023 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS), Orlando, FL, USA, Jan. 23th – 26th, 2023.
3. Xuan Liu, Huixing Meng*, Weizhen Yao*, Xianglin Liu, and Chao Zhang, Process risk prioritization of metalorganic chemical vapor deposition device, in: The Proceedings of the 32nd European Safety and Reliability Conference (ESREL), Dublin, Ireland, Aug. 28th - Sept. 1, 2022.
4. Weizhen Yao, Lianshan Wang*, Yulin Meng, Shaoyan Yang and Zhanguo Wang. Stress engineering for reducing the injection current induced blueshift in InGaN-based red light-emitting diodes. CrystEngComm, 2021 (23): 2360-2366.
5. Weizhen Yao, Fangzheng Li, Lianshan Wang*, Sheng Liu, Hongyuan Wei, Shaoyan Yang and Zhanguo Wang. Investigation of coherency stress-induced phase separation in AlN/AlxGa1−xN superlattices grown on sapphire substrates. CrystEngComm, 2020 (22): 3198-3205.
6. Weizhen Yao, Lianshan Wang*, Fangzheng Li, Yulin Meng, Shaoyan Yang and Zhanguo Wang. Effect of C-doped GaN film thickness on the structural and electrical properties of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistors. Semiconductor Science and Technology, 2019 (34): 125006.
7. Weizhen Yao, Lianshan Wang*, Fangzheng Li, Yulin Meng, Shaoyan Yang and Zhanguo Wang. Impact of Cone-Shape-Patterned Sapphire Substrate and Temperature on the Epitaxial Growth of p-GaN via MOCVD. Physica Status Solidi (a), 2019 (216): 1900026.
8. Weizhen Yao*, Fabrice Roqueta, Jean-Charles Craveur, Soufyane Belhenini, Pascal Gardes and Abdellah Tougui. Modelling and analysis of the stress distribution in a multi-thin film system Pt/USG/Si. Materials Research Express, 2018 (5): 046405.
9. Weizhen Yao*, Soufyane Belhenini, Fabrice Roqueta, Cyril Pujos, Erwan Bruno, Pascal Gardes and Abdellah Tougui. Intrinsic stress effects on the warpage of silicon substrate during thin film deposition, photolithography and etching processes, in: 17th International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE), Montpellier, France, Apr. 18-20, 2016.
10. Qingqing Chen, Shaoyan Yang, Chenming Li, Weizhen Yao, Xianglin Liu, Huidan Niu, Rui Yang, Huijie Li, Hongyuan Wei, Lianshang Wang and Zhanguo Wang. MOCVD growth of ZrN thin films on GaN/Si templates and the effect of substrate temperature on growth mode, stress state, and electrical properties. Journal of Physics D: Applied Physics, 2022 (40): 404003.
11. 高洁，姚威振，杨少延，魏洁，李成明，魏鸿源. 磁控溅射ZrN薄膜的生长机理及光学性能. 人工晶体学报, 2021, 50 (5): 831-837.
12. 高洁，姚威振，杨少延，魏洁，李成明，魏鸿源. 衬底温度对磁控溅射ZrN薄膜结构和物理性能的影响. 功能材料, 2021, 52(9): 9148-9153.
13. 李成明，苏宁，李琳，姚威振，杨少延. 一种垂直递变流速氢化物气相外延（HVPE）反应腔流场分析及大尺寸材料生长. 真空, 2021, 58(02): 1-5.
14. Fangzheng Li, Lianshan Wang*, Weizhen Yao, Yulin Meng, Shaoyan Yang and Zhanguo Wang. Analysis of growth rate and crystal quality of AlN epilayers by flow-modulated metal organic chemical vapor deposition. Superlattices and Microstructures, 2020 (137): 106336.
15. 牛慧丹，孔苏苏，杨少延，刘祥林，魏鸿源，姚威振，李辉杰，陈庆庆，汪连山，王占国. 温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理（英文）, 发光学报, 2021, 42(11): 1739-1747.
16. Yulin Meng, Lianshan Wang*, Fangzheng Li, Guijuan Zhao, Weizhen Yao, Shaoyan Yang and Zhanguo Wang. Growth and characterization of amber light-emitting diodes with dual-wavelength InGaN/GaN multiple-quantum-well structures. Materials Research Express, 2019 (6): 103925.