张连，女，博士，副研究员，硕士生导师。
2012年于中科院半导体所获得博士学位，同年入职半导体所，长期从事氮化物半导体材料的外延生长、光电器件、射频器件以及高压大功率器件的研究。承担或参与多项国家级科研项目，取得了具有国际影响力的研究成果。
取得的重要科研成果：
(1) 突破MOCVD选区外延GaN基材料及高效掺杂关键问题。建立生长模型，明确了选区外延材料中载流子输 运机制，实现Si掺杂电子浓度突破1×1020/cm3。
(2) 面向毫米波通信射频前端应用，突破小尺寸关键工艺，制备出截止频率/最大震荡频率（fT/fmax）=190/301GHz的GaN HEMT 太赫兹器件。
(3) 牵头攻关高导电性、长载流子寿命的p型GaN关键问题。实现空穴浓度2.4×1018/cm3下，迁移率 16cm2/V·s的p型InGaN 材料材料，为国际领先水平。
(4) 牵头攻关高压、射频 GaN HBT材料与器件，研发出国内第一只射频GaN HBT，fT =4 GHz，电流增益达到130。制备出150V等级的GaN HBT器件，电流密度28 kA/cm2，部分指标是蓝宝石衬底技术路线的国际最高水平。
主要研究领域方向：
1.氮化物宽禁带半导体材料外延
2.GaN基HEMT太赫兹器件
3.GaN基HBT射频/高压器件
联系方式：
邮箱：zhanglian07@semi.ac.cn；电话：010-82305357
在研/完成项目：
(1) 基金项目，射频GaN基HBT材料与芯片, 2021.10-2024.10, 参与单位负责人，在研。
(2) 中科院稳定支持青年团队计划，5G/6G高性能射频器件研究，2022.01-2027.12，骨干参与，在研。
(3) 科学挑战计划,超高频GaN基HEMT异质结外延与源漏再生长研究, 2018-01 至2021-12, 骨干参与，已结题。
(4) 国家自然基金委面上项目，基于选区外延p型栅的增强型GaN基HEMT研究，2017.01-2020.12，主持，已结题。
(5) 国家自然基金委青年项目，极化调控 GaN 基三元合金能带和掺杂效应的研究，2014.01-2016.12，主持，已结题。
代表性论文或著作：
(1) Yawei He#, Lian Zhang# , Zhe Cheng , Chengcheng Li, Jiaheng He , Shujie Xie,
Xuankun Wu, Chang Wu, and Yun Zhang, Scaled InAlN/GaN HEMT on Sapphire with fT/fmax of 190/301 GHz，IEEE Transactions on electron devices，70(6), 3001-3004, 2023
(2) Lian Zhang; Xinyuan Wang; Jianping Zeng; Lifang Jia; Zhe Cheng; Yujie Ai; Zhe Liu; Wei Tan; Yun Zhang ; AlGaN/GaN Heterojunction Bipolar Transistors With High Current Gain and Low Specific on-Resistance, IEEE Transactions on Electron Devices, 69(12): 6633-6636,2022.
(3) Lian Zhang; Rong Wang; Zhe Liu; Zhe Cheng; Xiaodong Tong; Jianxing Xu; Shiyong Zhang; Yun Zhang; Fengxiang Chen ; Regulation of Hole Concentration and Mobility and First-Principle Analysis of Mg-Doping in InGaN Grown by MOCVD, materials, 14(5339), 2021.
(4) Lian Zhang; Zhe Cheng; Yawei He; Lifang Jia; Xinyuan Wang; Shiyong Zhang; Wei Tan; Yun Zhang ; Optimization of selective-area regrown n- GaN via MOCVD for high-frequency HEMT, Applied Physics Letters, 119(262104),2021.
(5) Lian Zhang; Zhe Cheng; Jianping Zeng; Hongxi Lu; Lifang Jia; Yujie Ai; Yun Zhang; AlGaN/GaN Hetero-Junction Bipolar Transistor with Selective-Area Grown Emitter and Improved Base Contact, IEEE Transactions on electron devices, 66(3): 1197-1201,2019.