伍绍腾，男，博士，研究员，博士生导师
2013年本科毕业于四川大学微电子学专业；2018年博士毕业于中国科学院大学；2018-2019年及2019-2021年分别在谢菲尔德大学及南洋理工大学开展博士后研究；2022年4月以副研究员身份入职中国科学院半导体研究所；2024年1月入选中国科学院高层次人才计划，并成为研究员。
长期专注于四族光电子材料与器件,已在硅基材料外延、光源及探测器件等取得了一定成果，包括实现大尺寸硅基高组分锗锡(≥12%)单晶探测率最高的锗锡探测器、12英寸硅衬底的锗锡LED发光器件、及8英寸垂直腔面锗锡光源器件等。
近一年来，为解决硅光电系统中硅基光源缺少、多材料集成难度高等难题，带领团队采用晶圆键合异质集成技术，相继实现了4-6英寸硅及SOI衬底上的Ge,GaAs,InP,GaN 单晶材料，为后续集成光学、微腔光子学、及异质集成光源研究提供了坚实基础。
主要研究领域方向：
硅基光源，硅基红外探测，异质集成光源，集成光学
欢迎有意向的同学报考研究生/博士生，实验室长期提供实习、联合培养和博士后工作机会。
联系方式：
E-mail：wst@semi.ac.cn
在研/完成项目：
1. 国家自然科学基金委面上项目，双轴张应变锗锡硅基光源器件及其能带调控机制研究，2025-2027，在研，项目负责人
2. 中国科学院高层次人才项目（择优支持），2024-2027，在研，项目负责人
3. 北京市自然科学基金委面上项目，硅基中红外锗锡探测器及应变调控机制研究，2024-2026，在研，项目负责人
4. 北京市外籍高层次人才计划(国际合作)，可见光波段光电芯片的异质集成，2023-2024，在研，项目负责人
5. 河南省科技研发联合基金重点项目-晶圆级绝缘层上锗（GeOI）材料及光电子器件，2023-2025，在研，项目负责人
6. 中国科学院半导体所青年科技人才推进计划，2023-2025，异质集成晶圆键合技术，在研，项目负责人
7. 中国科学院先导 B 专项 -“传感-计算”共融的新一代半导体芯片及系统集成，2023-2027，在研，参与成员
代表性论文
1. Wu, S., Zhang, L., Wan, R., Zhou, H., Lee, K. H., Chen, Q., ... & Tan, C. S Ge 0.92 Sn0.08/Ge multi-quantum-well LEDs operated at 2-μm-wavelength on a 12-inch Si substrate. Photonics Research, 11(10), 1606-1612(2023).
2. Chen, Q., Jung, Y., Zhou, H., Wu, S.（通讯作者）, Gong, X., Huang, Y. C., ... & Tan, C. S. GeSn/Ge Multiquantum-Well Vertical-Cavity Surface-Emitting pin Structures and Diode Emitters on a 200 mm Ge-on-Insulator Platform.10 (6), ACS Photonics, 1716–1725(2023).
3. Wu, S., Zhou, H., Chen, Q., Zhang, L., Lee, K. H., Bao, S., ... & Tan, C. S. Suspended germanium membranes photodetector with tunable biaxial tensile strain and location-determined wavelength-selective photoresponsivity. Applied Physics Letters, 119(19), 191106(2021).
4. Wu, S., Wang, Z., Zhang, L., Chen, Q., Wen, S., Lee, K. H., ... & Luo, J. W. Enhanced light emission of germanium light-emitting-diode on 150 mm germanium-on-insulator (GOI). Optics Express, 31(11), 17921-17929(2023).
5. Wu, S., Zhou, H., He, L., Wang, Z., Chen, Q., Zhang, L., & Tan, C. S. Ge-on-Si avalanche photodiodes with photon trapping nanostructures for sensing and optical quantum applications. IEEE Sensors Journal, DOI: 10.1109/JSEN.2023.3271215(2023).
6. Wu, S., Xu, S., Zhou, H., Jin, Y., Chen, Q., Huang, Y. C., ... & Tan, C. S. High-performance back-illuminated Ge0.92Sn0.08/Ge multiple-quantum-well photodetector on Si platform for SWIR detection. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 28, 1-9(2022).
7. Chen, Q., Wu, S.（共同一作）, Zhang, L., Burt, D., Zhou, H., Nam, D., ... & Tan, C. S. GeSn-on-insulator dual-waveband resonant-cavity-enhanced photodetectors at the 2 µm and 1.55 µm optical communication bands. Optics Letters, 46(15), 3809-3812(2021).
8. Zhou, H., Chen, Q., Wu, S.（通讯作者）, Zhang, L., Guo, X., Son, B., & Tan, C. S. Grating and hole-array enhanced germanium lateral pin photodetectors on an insulator platform. Optics Express, 30(4), 4706-4717(2022).
9. Wu, S., Son, B., Zhang, L., Chen, Q., Zhou, H., Goh, S. C. K., & Tan, C. S. Effects of high-temperature thermal annealing on GeSn thin-film material and photodetector operating at 2 µm. Journal of Alloys and Compounds, 872, 159696(2021).
10. Chen, Q., Wu, S.,（通讯作者） Zhang, L., Zhou, H., Fan, W., & Tan, C. S. Transferable single-layer GeSn nanomembrane resonant-cavity-enhanced photodetectors for 2 μm band optical communication and multi-spectral short-wave infrared sensing. Nanoscale, 14(19), 7341-7349 (2022).