张韵，博士，研究员，博士生导师。

中国科学院半导体研究所副所长。清华大学电子工程系本科，佐治亚理工学院电子与计算机工程系博士。科研方向是氮化镓（GaN）半导体材料与芯片，主要成果包括最大振荡频率大于500 GHz的GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT），2kW/300kHz集成封装GaN HEMT半桥模块，GaN 异质结双极型晶体管（HBT），光泵浦激射AlGaN深紫外激光二极管和发光二极管等。担任国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项指南编制组专家，国家重点研发计划“微纳电子技术”重点专项总体组专家，工信部电子信息科学技术委员会常委，中国电子学会半导体与集成技术分会青年副主任委员。

科研方向简介

宽禁带半导体GaN被誉为“第三代半导体”，具有高击穿电压、高电子迁移率和高饱和电子速度、高功率密度等优势，适用于制造面向6G通信的微波芯片及新一代电力电子芯片，具有广阔的应用前景和产业价值。我国“十四五”规划将GaN列为国家战略科技的重要一环。NASA和欧洲宇航局把GaN芯片作为下一代通信和地理信息遥感的关键技术。多家国际研究机构认可GaN将作为驱动AI数据中心、新能源汽车的核心电源管理芯片。英特尔公司正在把GaN与硅异质集成，制造下一代超级芯片。

课题组招新方向

（1）GaN高载流子迁移率材料与晶体管

（2）90GHz ～ 300GHz 射频芯片设计与制造

（3）8英寸碳化硅单晶衬底

（4）250nm AlGaN 光电子材料与芯片

主要在研项目：

（1）中国科学院稳定支持基础研究领域青年团队项目：5G/6G高性能射频器件研究

（2）重点研发计划项目：Si 衬底上GaN 基HEMT 器件设计及关键制备技术研究

（3）重点研发计划项目：GaN 基高性能增强型p 沟道场效应晶体管材料与器件研究

（4）院地合作项目：8英寸碳化硅单晶衬底高效率加工技术研究与应用

联系方式：

邮箱 yzhang34@semi.ac.cn

电话 010-82304283