袁国栋，男，博士，研究员，博士生导师。
1977年7月生，2006年获浙江大学硅材料国家重点实验室半导体材料工学博士学位。2006至2012年先后在香港城市大学、德国波鸿鲁尔大学和德国柏林洪堡大学从事博士后研究，2012年到中国科学院半导体研究所工作，2014年获国家优秀青年科学基金资助。
取得的主要学术成绩：
一直从事硅基MOS晶体管、量子点器件及光电子器件研究。（1）研制出基于高k叠层栅介质的高性能硅MOS量子器件，并观测到整数量子霍尔效应和SdH振荡，二维电子气低温迁移率超过20000 cm2/V.s；发现了Si/SiGe量子阱二维电子气中量子隧穿引起的负跨导及平行电导现象；观测到Ge/SiGe量子阱二维空穴气结构晶体管阈值电压漂移现象；制备出全耗尽模式下工作的FDSOI晶体管，并实现了正栅/背栅双栅耦合；研制出硅MOS量子点单电子晶体管，并实验上观测到库伦阻塞现象。（2）系统研究了贵金属（Ag，Cu）离子催化晶硅化学腐蚀微观机制；提出传统晶硅光伏工艺结合湿法黑硅技术思路，明显改善了晶硅光伏电池效率和成本优势。（3）发展出与CMOS兼容的硅基氮化镓LED芯片工艺，研制出Si（100）V型槽衬底氮化物蓝、绿及白光芯片。近年来在Adv. Mater., Nano Lett., IEEE Trans. Electron Devices等国内外重要刊物上发表论文100余篇。
主要研究领域或方向：
1.硅锗量子材料及器件，硅锗MOSFET
2.硅锗二维电子（空穴）气量子输运，量子霍尔效应
3.硅锗量子点器件，单电子器件
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在研/完成项目：
1.国家自然科学基金（面上项目）：面向高性能硅MOS量子比特应用的高κ薄栅二维电子气迁移率影响机制及提升研究（2024-2027）
2.国家自然科学基金（面上项目）：新型Cu离子催化晶硅倒金字塔异质结构及其光阴极应用（2022-2025）
3.国家自然科学基金（优秀青年基金）：纳米线晶体管器件及其表/界面特性研究（2015-2017）
4.国家自然科学基金（面上项目）：面向与IC工艺兼容的Si（100）衬底高亮度3D发光器件研究（2015-2018）
5.中科院战略先导科技专项（B类）：光电融合与调控前沿研究（2020-2024）
代表性论文：
1.Z. Li, G. D. Yuan*, D. Zhang, Y. M. Liu, H. R. Long, L. He, D. C. Wang, Z. M. Wei, J. W. Luo*, Effect of high temperature annealing on cryogenic transport properties of silicon MOSFETs with a thin SiO2/HfO2 stacked dielectric, Semicond. Sci. Technol. 2023, 38, 115002
2.D. Zhang, G. Yuan*, Y. Liu, Z. Li, L. Song, J. Lu, J. Zhang, J. Zhang, J. Luo*, Gate-controlled hysteresis curves and dual-channel conductivity in an undoped Si/SiGe 2DEG structure, J. Phys. D: Appl. Phys., 2023, 56, 085302
3.S. Zhao, G. Yuan*, D. Zhang, Y. Liu, J. Lu, W. Han, J. Luo*, Electron transport characteristics in dual gate-controlled 30nm-thick silicon membrane, J. Phys. D: Appl. Phys. 2022, 55, 495105
4.D. Zhang, G. Yuan*, S. Zhao, J. Lu, J. Luo*, Low-thermal-budget n-type ohmic contacts for ultrathin Si/Ge superlattice materials, J. Phys. D: Appl. Phys. 2022, 55, 355110
5.S. Zhao, G. Yuan*, Q. Zhu, L. Song, D. Zhang, Y. Liu, J. Lu, W. Han, J. Luo*, Cryogenic mobility enhancement in Si MOS devices via SiO2 regrowth, IEEE Trans. Electron Devices, 2022, 69, 2585
6.S. Zhao, G. Yuan*, D. Zhang, X. Wu, W. Han, Scattering suppression at MOS interface towards high-mobility Si-based field-effect transistors, Mater. Sci. Semi. Pro. 2022, 138, 106308
7.H. Y. Chen, G. D. Yuan*, Y. Peng*, M. Hong, Y. B. Zhang, Y. Zhang, Z. Q. Liu, J. X. Wang, B. Cai, Y. M. Zhu, J. M. Li, Enhanced performance of solar cells with optimized surface recombination and efficient photon capturing via anistropic-etching of black silicon, Appl. Phys. Lett., 104 (2014) 193904
8.M. Hong, G. D. Yuan*, Y. Peng*, H. Y. Chen, Y. Zhang, Z. Q. Liu, J. X. Wang, B. Cai, Y. M. Zhu, Y. Chen, J. H. Liu, J. M. Li, Control carrier recombination of multi-scale textured black silicon surface for high performance solar cells, Appl. Phys. Lett., 104 (2014) 253902
9.G. D. Yuan, R. Mitdank, A. Mogilatenko, S. F. Fischer*, Porous nanostructures and thermoelectric power measurement of electroless-etched black silicon, J. Phys. Chem. C, 116 (2012) 13767
10.G. D. Yuan, Y. B. Zhou, C. S. Guo, W. J. Zhang*, Y. B. Tang, Y. Q. Li, Z. H. Chen, Z. B. He, X. J. Zhang, P. F. Wang, I. Bello, R. Q. Zhang, C. S. Lee, S. T. Lee*, Tunable electrical properties of silicon nanowires via surface ambient chemistry, ACS Nano 4 (2010) 3045