闫建昌，男，博士，研究员，博士生导师。

中国科学院青年创新促进会会员，北京市科技新星计划入选者。 

清华大学电子工程系学士学位，中科院半导体所博士，2015-2016年度法国巴黎第十一大学访问学者。2009年加入中国科学院半导体照明研发中心，长期从事氮化物半导体材料和器件研究，尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管（UV LED）领域十余年，负责国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研项目，取得了具有国际影响力的研究成果。与美国、日本、欧洲等多国的领域著名研究机构开展了学术交流合作，并与产业界建立了良好的互动合作关系。

主持承担国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”，国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上 MOCVD 外延出高质量AlN材料，材料质量为国际最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相关研究获得Semiconductor Today、Compound Semiconductors 等半导体界知名网站报导。主持自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”，成功实现了国内首个UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半导体量子结构的室温受激发射。发表学术论文五十余篇，申请国家发明专利三十多项。获中科院成果鉴定两项，2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖，2018年度北京市科技新星计划入选者。

主要研究领域方向：

氮化物宽禁带半导体材料和器件，高效/新型紫外发光器件

联系方式： 

E-mail：yanjc@semi.ac.cn；电话：010-82305425

在研/完成项目： 

1、国家重点研发计划课题“固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究”（2016.07-2021.06）

2、国家自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”（2014.01-2017.12）； 

3、国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”（2011.01-2013.12）； 

4、国家自然科学基金项目“垂直结构紫外LED的研究”（2011.01-2013.12）；

代表性论文： 

1、Qingqing Wu, Jianchang Yan*, Liang Zhang, Xiang Chen, Tongbo Wei, Yang Li, Zhiqiang Liu, Xuecheng Wei, Yun Zhang, Junxi Wang and Jinmin Li. "Growth mechanism of AlN on hexagonal BN/sapphire substrate by metal–organic chemical vapor deposition." CrystEngComm 19, no. 39 (2017): 5849-5856.

2、Jianchang Yan*, Yingdong Tian, Xiang Chen, Yun Zhang, Junxi Wang and Jinmin Li. Deep ultraviolet lasing from AlGaN multiple-quantum-well structures. Physica Status Solidi C 13, no. 5-6 (2016): 228-231.

3、Chen Xiang, Yan Jianchang*, Zhang Yun, Tian Yingdong, Guo Yanan, Zhang Shuo, Wei Tongbo, Wang Junxi and Li Jinmin. "Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission." IEEE Photonics Journal 8, no. 5 (2016): 2300211.

4、Y. D. Tian, J. C. Yan, Y. Zhang, Y. H. Zhang, X. Chen, Y. A. Guo, J. X. Wang and J. M. Li. "Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells." Nanoscale 8, no. 21 (2016): 11012-11018.

5、Jianchang Yan*, Junxi Wang, Yun Zhang, Peipei Cong, Lili Sun, Yingdong Tian, Chao Zhao and Jinmin Li. "AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes grown on High-quality AIN template using MOVPE." Journal of Crystal Growth 414, (2015): 254-257.

6、Yingdong Tian, Jianchang Yan*, Yun Zhang, Xiang Chen, Yanan Guo, Peipei Cong, Lili Sun, Qinjin Wang, Enqing Guo, Xuecheng Wei, Junxi Wang and Jinmin Li. "Stimulated emission at 288 nm from silicon-doped AlGaN-based multiple-quantum-well laser." Optics Express 23, no. 9 (2015): 11334-11340.

7、Junxi Wang*, Jianchang Yan*, Yanan Guo, Yun Zhang, Yingdong Tian, Shaoxin Zhu, Xiang Chen, Lili Sun and Jinmin Li. "Recent progress of research on III-nitride deep ultraviolet light-emitting diode." Scientia Sinica Physica, Mechanica & Astronomica 45, no. 6 (2015): 067303.

8、Peng Dong, Jianchang Yan*, Junxi Wang, Yun Zhang, Chong Geng, Tongbo Wei, Peipei Cong, Yiyun Zhang, Jianping Zeng, Yingdong Tian, Lili Sun, Qingfeng Yan, Jinmin Li, Shunfei Fan and Zhixin Qin. "282-nm AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes with Improved Performance on Nano-Patterned Sapphire Substrates." Applied Physics Letters 102, no. 24 (2013): 241113.

9、J. C, Yan*, J. X. Wang, P. P. Cong, L. L. Sun, N. X. Liu, Z. Liu, C. Zhao and J. M. Li. "Improved Performance of UV-LED by P-AlGaN with Graded Composition." Physica Status Solidi C, Vol 8, No 2 (2011): 461-463.

10、Yan Jianchang*, Wang Junxi, Liu Naixin, Liu Zhe, Ruan Jun, and Li Jinmin. “High quality AlGaN grown on a high temperature AlN template by MOCVD.” Journal of Semiconductors, 30, no. 10 (2009): 103001.