潘教青，男，博士，研究员，博士生导师。
兼任中国科学院大学岗位教授。
一、正在承担的项目：
1.国家重点研发项目“有源红外气体传感材料与器件及应用”，项目首席， 1478万元。
2.中科院前沿科学重点研究计划项目“硅基大规模混合集成的量子阱激光器研究”，项目负责人， 500万元。
3.企业委托“光子集成芯片联合实验室”，项目负责人，1600万元。
4.企业委托“光电子联合实验室”，项目负责人，500万元。
1.国家科技重大专项“硅基高迁移率材料与新器件集成技术研究”，首席科学家。
2.国家“863” 计划项目“ROF用多功能电吸收光调制器”，项目负责人。
3.国家“863” 计划项目“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究”，项目负责人。
4.国家“863”计划项目“多波长硅基混合激光阵列及收发模块研究”（与北京大学合作）课题负责人。
三、科研成果：
1.中国电子学会发明二等奖“基于量子阱激光器的气体检测系统关键技术研究”。第一完成人。完成多种气体传感用激光器和传感仪器，在煤炭、石油、天然气、LNG等行业得到示范应用。
2. 2014年以“Ultrabroad stimulated emission from quantum well laser”为题发表在Applied Physics Letters, vol. 104, p. 251101, （2014）。迅速被世界顶级期刊Nature Photonics, vol. 8, pp. 675-675, 2014. Research Highlights报道。该报道以Broadband lasers为标题，称该项研究对超短脉冲光源和多波长调谐光源方面的研究具有重要意义。 目前正在制作集成芯片，有望在光生微波、光生太赫兹波方面取得突破。
3. 硅衬底上外延III-V族半导体材料，获得了高质量的具有MOSFETs器件结构半导体外延层材料，2016年相关成果两次发表在微电子领域的顶级期刊IEEE Transactions on Electron Devices 。
4. 2016年首次获得硅基高质量InGaAs/InP量子阱，“Ridge InGaAs/InP multi-quantum-well selective growth in nanoscale trenches on Si (001) substrate Applied Physics Letters, S. Li, X. Zhou, M. Li, X. Kong, J. Mi, M. Wang, W. Wang, and J. Pan, 108, 2016”，目前正在制作SOI衬底直接外延InGaAs/InP激光器，对硅基光子集成芯片（PIC）具有重大意义。
5. 目前正在研究硅基单片集成激光雷达芯片，集成度高、体积小、功耗低，是无人驾驶等行业的关键技术之一。
6. 培养十余名博士研究生，其中两位获得中国科学院院长奖学金（冯文、王火雷），一位获得半导体所长奖学金（李士颜）。
四、目前研究领域及方向：
1. 硅基单片集成激光雷达；
2. 硅基纳米激光器，硅基混合集成激光器；
3. TDLAS传感系统；
4. InP基单片集成光子芯片。
五、代表性文章：
1. Ridge InGaAs/InP multi-quantum-well selective growth in nanoscale trenches on Si (001) substrate, Applied Physics Letters, S. Li, X. Zhou, M. Li, X. Kong, J. Mi, M. Wang, W. Wang, and J. Pan, 108, 021902,2016
2. Strain-driven synthesis of 〈112〉 direction InAs nanowires in V-grooved trenches on Si using InP/GaAs buffer layers, J. Cryst. Growth,S. Li, X. Zhou, X. Kong, M. Li, J. Mi, M. Wang, and J. Pan, 449, 5-9, 2016.
3. The Comparison of Current Ratio ION/IOFF and Mobility Between SiGe Substrate and GaAs Substrate In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs,IEEE Trans. on Electron Devices, X. Kong, R. Liang, X. Zhou, S. Li, M. Wang, H. Liu, J. Wang, W. Wang, and J. Pan, 63, 3084, 2016.
4. Design and Fabrication of 1.55 μm Slotted Broad Area Single-Mode Fabry-Perot Lasers, Li Mengke, Yuan Lijun, Yu Hongyan, Kan Qiang, Li Shiyan, Mi Junping and Jiaoqing Pan, Journal of Semiconductors, 37(3), 034007, 2016
5. High mobility In0.23Ga0.77As channel MOSFETs grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD, IEEE Transactions on Electron Devices, X. Kong, X. Zhou, S. Li, H. Liu, J. Wang, R. Liang, W. Wang, and J. Pan, 62(5) , 2015
6. Huolei. Wang, Xuliang. Zhou, Hongyan. Yu, JunpingMi, Jing Bian, Ying Ding, Weixi Chen, Wei Wang, Jiaoqing Pan, "Ultrabroad stimulated emission from quantum welllaser," Applied Physics Letters, vol. 104, p. 251101, 2014.
7. (Reported by Nature Photonics as Research Highlights. " Optoelectronics: Broadband lasers," Nature Photonics, vol. 8, pp. 675-675, 2014.)
8. Huolei.Wang, Hongyan.Yu, Xuliang.Zhou, Qiang.Kan, Lijun.Yuan, Weixi.Chen, Wei.Wang, Ying.Ding, and Jiaoqing.Pan, "High-power InGaAs/GaAs quantum-well laser with enhanced broad spectrum of stimulated emission," Applied Physics Letters, vol. 105(14), p. 141101, 2014.
9. Huolei.Wang, Liang.Kong, A.Forrest, D.Bajek, S.E.Haggett, X.Wang, Bifeng.Cui, Jiaoqing.Pan, Ying.Ding, and M.A.Cataluna, "Ultrashort pulse generation by semiconductor mode-locked lasers at 760 nm," Optics Express, vol. 22(21), pp. 25940-25946, 2014.
10. Huolei Wang, JunpingMi, Xuliang Zhou, L. Meriggi, M. Steer, Bifeng Cui, Weixi Chen, Jiaoqing Pan, and D. Ying, "1.06-mum InGaAs/GaAs multiple-quantum-well optical thyristor lasers with a PiNiN structure," Opt. Lett. 38, 4868-4871 (2013).
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