刘兴昉，男，博士，研究员，博士生导师。
1999年毕业于中南工业大学材料系，获工学学士学位，2004年毕业于中南大学粉冶所，获工学硕士学位，2007年毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。多年来一直从事碳化硅半导体材料的研究，工作内容包括碳化硅外延装备研制、碳化硅外延材料生长、材料表征、物理性能及相关器件研究，主持多项课题研究工作，获得北京市产品质量创新成果奖一项，在国内外学术期刊上发表研究论文50余篇，取得国家授权专利10多项。
主要研究领域或方向：
1、碳化硅半导体装备
2、SiC外延材料与功率器件
联系方式：
E-mail：liuxf@semi.ac.cn；电话：010-82304231。
在研/完成项目
1、基于国产设备的碳化硅高速外延生长技术研究，国家重点研发计划，2021.12-2024.11，在研，主持
2、碳化硅基范德华异质结拓扑态构筑及其调控研究，国家自然科学基金，2022.1-2025.12，在研，主持
3、6英寸SiC外延片产业化开发，技术开发，2021.3-2026.2，在研，主持
4、碳化硅外延与器件工艺技术开发，技术开发，2023.5-2027.12，在研，主持
5、碳化硅纳米多型体的自旋量子态裁剪及特性研究，国家自然科学基金，2016.1-2019.12，结题，主持
6、用于电力电子器件的碳化硅外延生长研究，北京市自然科学基金，2013.1-2015.12，结题，主持
7、外延石墨烯的制备及其在纳电子学中的应用研究，中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目，2008.10-2010.11，结题，主持
8、大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统，中国科学院重大科研装备项目，2007.10-2009.9，结题，参与
9、SiC外延设备和制造工艺开发及应用，揭榜挂帅，2021.6-2023.5，结题，主持
代表性论文和授权专利：
1、 S. Q. Zhao, J. L. Wang, G. G. Yan, Z. W. Shen, W. S. Zhao, L. Wang, X. F. Liu*, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Surface flattening of 4H-SiC (0001) epitaxial wafers by high temperature oxidation, Semicond. Sci. Tech., 2022, 37, 105009.
2、 X. F. Liu*, G. G. Yan, L. Sang, Y. X. Niu, Y. W. He, Z. W. Shen, Z. X. Wen, J. Chen, W. S. Zhao, L. Wang, M. Guan, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Defect appearance on 4H-SiC homoepitaxial layers via molten KOH etching, J. Cryst. Growth, 2020, 531, 125359.
3、 X. F. Liu*, G. G. Yan, Z. W. Shen, Z. X. Wen, J. Chen, Y. W. He, W. S. Zhao, L. Wang, M. Guan, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition, J. Cryst. Growth, 2019, 507, 283-287.
4、 X. F. Liu*, G. G. Yan, B. Liu, Z. W. Shen, Z. X. Wen, J. Chen, W. S. Zhao, L. Wang, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, Process optimization for homoepitaxial growth of thick 4H-SiC films via hydrogen chloride chemical vapor deposition, J. Cryst. Growth, 2018, 504, 7-12.
5、 X. F. Liu*, G. G. Yan, Z. W. Shen, Z. X. Wen, L. X. Tian, W. S. Zhao, L. Wang, M. Guan, F. Zhang, G. S. Sun, Y. P. Zeng, A Facile Method for Heteroepitaxial Growth of Homogeneous 3C-SiC Thin Films on Both Surfaces of Suspended Si Wafer by Conventional Chemical Vapor Deposition, ECS J. Solid State Sci. Technol., 2017, 6, 27.
6、 刘兴昉，碳化硅薄膜生长设备及其生长方法，专利号：ZL 201310315012.9
7、刘兴昉，侧向异质掺杂碳化硅结构的生长方法，专利号：ZL 201710913890.9
8、刘兴昉，碳化硅外延层区域掺杂的方法，专利号：ZL 201510490656.0
9、刘兴昉，格栅调谐外延生长碳化硅薄膜的方法，专利号：ZL 201710914652.X
10、刘兴昉，HTCVD法碳化硅晶体生长装置，专利号：ZL 201110264570.8