赵超，男，博士，研究员，博士生导师。
2004年毕业于天津大学材料学院，2009年在中国科学院半导体研究所获博士学位。2009年6月至2020年3月，分别在阿卜杜拉国王科技大学和亚琛工业大学/于利希国家研究中心工作。2020年4月入职中国科学院半导体研究所，同年获中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持。
取得的重要科研成果及所获奖励：
长期从事III-V族半导体材料大失配异质外延和器件构筑方面的研究。他近年来提出了机器学习和原位反馈控制的思路，发展了边监测边预测边调控的新型智能外延技术；发展了外延缓冲层技术，解决了失配的难题，实现了通讯波段硅基激光器和硅基中红外发光；解决了半导体器件的缺陷难题，实现了抗辐照的外延激光器。
在Nature Communications、Applied Physics Reviews和Nano Letters等期刊共发表学术论文80余篇， Google Scholar总引用5000余次，H指数为30。多次在本领域知名国际会议，如IEEE Photonics Conference等做邀请报告。已获授权美国专利5项，中国专利1项。主持和承担国家重点研发计划课题、基金委面上、中国科学院高层次人才计划、战略性先导科技专项和稳定支持青年团队计划等项目。目前任Photonics Technology Letters和Electronics Express副编辑，是OSA和IEEE高级会员；是Advanced Materials等二十多个期刊的审稿人；入选中国科学院半导体所“卓越青年学者”（2020年）、中国科学院“高层次引进人才计划”择优支持（2020年）和英国物理学会会士（2022年）。
主要研究领域方向：
1、AI for Semiconductor
2、III-V族半导体材料和器件
3、硅基光子集成
4、空间光电子器件
联系方式：
E-mail：zhaochao@semi.ac.cn
在研/完成项目：
1、国家自然科学基金，面上项目，2023-01至2026-12，在研，主持
2、科技部，国家重点研发计划，2022-07至2025-06，在研，课题负责人
3、中国科学院，战略性先导科技专项（B类），光电融合集成结构物理模型，2020‐01至2024‐12，在研，子课题负责人
4、中国科学院，稳定支持基础研究领域青年团队计划，2022-07至2027-07，在研，骨干
5、北京市，北京市外籍高层次人才资助计划，2023‐09至2024‐08，在研，主持
6、中国科学院，高层次人才计划（择优支持），2021‐01至2023‐12，完成，主持
7、中国科学院半导体研究所，卓越青年学者计划，2020‐04至2023‐04，完成，主持
8、中国科学院，国际杰出学者项目，2022‐01至2023‐12，完成，主持
代表性论文或著作：
1、Chao Shen, Wenkang Zhan, Kaiyao Xin, Manyang Li, Zhenyu Sun, Hui Cong, Chi Xu, Jian Tang, Zhaofeng Wu, Bo Xu, Zhongming Wei, Chunlai Xue, Chao Zhao,* and Zhanguo Wang, “Machine-Learning-Assisted and Real-Time-Feedback-Controlled Growth of InAs/GaAs Quantum Dots”, Nature Communications 15, 2724 (2024)
2、Manyang Li, Chao Shen, Zhenyu Sun, Bo Xu, Chao Zhao*, Zhanguo Wang, “Radiation Hardness of Semiconductor Laser Diodes for Space Communication”, Applied Physics Reviews 11 (2), 021315 (2024)
3、Chao Shen, Jian Tang, Wenkang Zhan, Zhaofeng Wu,* Bo Xu, Chao Zhao,* and Zhanguo Wang, “Universal Deoxidation of Semiconductor Substrates Assisted by Machine-Learning and Real-Time-Feedback-Control”, ACS Applied Materials & Interfaces 16 (14), 18213–18221 (2024)
4、Kun Cheng, Tianyi Tang, Wenkang Zhan, Zhenyu Sun, Bo Xu, Chao Zhao,* and Zhanguo Wang, “Epitaxial growth of high-quality GaAs on Si(001) using ultrathin buffer layers”, AIP Advances 14 (3), 035239 (2024)
5、Tianyi Tang, Wenkang Zhan, Chao Shen, Manyang Li, Bo Xu, Zhanguo Wang, Chao Zhao*, “High-quality GaSb epitaxially grown on Si (001) through defects self-annihilation for CMOS-compatible near-IR light emitters”, Optical Materials Express, 13, 104 (2023)
6、Tianyi Tang, Tian Yu, Guanqing Yang, Jiaqian Sun, Wenkang Zhan, Bo Xu*, Chao Zhao*, Zhanguo Wang, “Investigation into the InAs/GaAs quantum dot material epitaxially grown on silicon for O band lasers”, Journal of Semiconductors, 43(1), 012301 (2022)
7、Chao Zhao#*, Zhaonan Li#, Tianyi Tang, Jiaqian Sun, Wenkang Zhan, Bo Xu, Huajun Sun, Hui Jiang, Kong Liu, Shengchun Qu, Zhijie Wang*, Zhanguo Wang, “Novel III-V Semiconductor Epitaxy for Optoelectronic Devices through Two-Dimensional Materials”, Progress in Quantum Electronics, 76, 100313 (2021)
8、Chao Zhao#, Nasir Alfaraj#, Ram Chandra Subedi, Jian Wei Liang, Abdullah A. Alatawi, Abdullah A Alhamoud, Mohamed Ebaid, Mohd Sharizal Alias, Tien Khee Ng*, Boon S. Ooi*, “III-Nitride Nanowires on Unconventional Substrates: from Material to Optoelectronic Device Applications”, Progress in Quantum Electronics, 61, 1-31 (2018)
9、Chao Zhao#, Tien Khee Ng#*, Rami T. ElAfandy, Aditya Prabaswara, Giuseppe Bernardo Consiglio, Idris A. Ajia, Iman S. Roqan, Bilal Janjua, Chao Shen, Jessica Eid, Ahmed Y. Alyamani, Munir M. Eldesouki, and Boon S. Ooi*, “Droop-Free, Reliable, and High-Power InGaN/GaN Nanowire Light-Emitting Diodes for Monolithic Metal-Optoelectronics”, Nano Lett., 16, 4616–4623 (2016)
10、Chao Zhao#, Tien Khee Ng#*, Nini Wei, Aditya Prabaswara, Mohd S. Alias, Bilal Janjua, Chao Shen, and Boon S. Ooi*, “Facile Formation of High-Quality InGaN/GaN Quantum-Disks-in-Nanowires on Bulk-Metal Substrates for High-Power Light-emitters”, Nano Lett., 16, 1056–1063 (2016)