吴东海，男，博士，研究员，博士生导师。

2008年毕业于中国科学院半导体研究所，获工学博士学位。2008年~2014年就职于清华同方股份有限公司。2014年~2020年在美国西北大学量子器件中心（Center for Quantum Devices）任研究助理教授。2020年11月加入半导体超晶格国家重点实验室。

取得的重要科研成果及所获奖励：

近年来主要聚焦于锑化物半导体低维材料和先进红外光电器件方向。发展了锑化物超晶格材料的分子束外延（MBE）高精度可控生长技术，实现了高工作温度（HOT）探测器。提出了锑化物超晶格pBn势垒结构、双势垒结构、InGaSb/InAs II型量子点结构的HOT探测器。研制成功锑化物超晶格平面结构探测器，研究掌握了锌在锑化物超晶格材料中的扩散技术，采用扩散深度和浓度精确控制方法，获得的平面结构探测器探测率提升3倍以上。突破了锑化物超晶格材料的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）低成本生长技术，解决了MOCVD高速生长优势下精确界面控制和精准掺杂的难题，利用MOCVD生长获得的中波、长波红外探测器材料性能达到与MBE生长材料相当的水平。在国内外期刊发表SCI收录论文60余篇。

主要研究领域方向：

1. 锑化物半导体材料MBE、MOCVD外延生长

2. 锑化物半导体光电器件制备技术

联系方式：

E-mail：dhwu@semi.ac.cn；电话：010-82304978。

代表性论文或著作：

1. Donghai Wu, Arash Dehzangi, Jiakia Li, & Manijeh Razeghi, “High performance Zn-diffused planar mid-wavelength infrared type-II InAs/InAsSb superlattice photodetector by MOCVD”, Appl. Phys. Lett 116, 161108 (2020)

2. Donghai Wu, Arash Dehzangi, & Manijeh Razeghi, “Demonstration of mid-wavelength infrared nBn photodetectors based on type-II InAs/InAs1-xSbx superlattice grown by metal-organic chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett 115, 061102 (2019)

3. Donghai Wu, Quentin Durlin, Arash Dehzangi, Yiyun Zhang, & Manijeh Razeghi, “High quantum efficiency mid-wavelength infrared type-II InAs/InAs1-xSbx superlattices photodiodes grown by metal-organic chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett 114, 011104 (2018)

4. D. H. Wu, A. Dehzangi, Y. Y. Zhang, & Manijeh Razeghi, “Demonstration of long wavelength infrared Type-II InAs/InAs1-xSbx superlattices photodiodes on GaSb substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett 112, 241103 (2018)

5. D. H. Wu, Y. Y. Zhang, & Manijeh Razeghi, “Room temperature operation of InxGa1-xSb/InAs type-II quantum well infrared photodetectors grown by MOCVD”, Appl. Phys. Lett 112, 111103 (2018)