熊聪，男，博士，正高级工程师，硕士生导师。

2000年9月至2006年7月，就读于武汉理工大学半导体材料专业，从事半导体热电材料的研究，先后获得学士学位和硕士学位。2006年9月至2010年2月，就读于中国科学院半导体研究所微电子学与固体电子学专业，从事新型大功率基横模半导体激光器外延结构理论设计以及相应器件制备研究，获得博士学位。2010年7月至2012年8月在北京工业大学电控学院可靠性实验室从事博士后研究工作，主要研究大功率半导体激光器的失效机理及可靠性。2012年9月至今在中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心工作，现任半导体所光电子器件国家工程中心副主任。目前从事大功率脉冲半导体激光器及新型高功率半导体激光器材料的理论研究、结构设计和MOCVD外延材料制备。

取得的重要科研成果及所获奖励：

通过阴极荧光技术发现了材料缺陷引起器件失效的机理，提出多种减小外延材料内部缺陷、提高器件波长均匀性的方法。通过对905nm隧道级联多有源区脉冲激光器的优化设计，实现了三有源区单管芯激光器最大输出功率122W，四有源区器件最大输出功率200W的水平。同时研发了分离驱动的多有源区脉冲激光器bar条，目前已经成功应用于16线、32线和64线激光雷达中。研发了多款带有脉冲输出电路、快轴压缩的小型半导体脉冲激光器和模块，可应用于不同波长激光器，最小脉宽为10ns，上升时间小于10ns，最大峰值输出功超过200W，相关技术指标处于国内领先水平。

主要研究领域方向：

1. 大功率半导体激光器外延结构设计及材料MOCVD外延生长技术

2. 高功率半导体脉冲激光器芯片、模块及组件研究

联系方式：

E-mail：xiongcong@semi.ac.cn；电话：010-82304051

在研/完成项目：

1. 中国科学院战略性先导科技专项（B类）子课题：高增益光放大器研究

2. 科技部国家重点研发计划课题：4-12μm 室温连续激光器研究

代表性论文或著作：

1. TIAN Wei-nan, XIONG Cong*, WANG Xin, LIU Su-ping, MA Xiao-yu, Impurity-free Vacancy Diffusion Induces Intermixing in GaInP /AlGaInP Quantum Wells Using GaAs Encapsulation, CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2018, 39 (8): 1095 ~ 1099

2. 侯继达，熊聪*，祁琼，刘素平，马骁宇，外延叠层多有源区激光器的结构优化设计，光学学报，2018，38（10）：1014001-1~：1014001-6

3. Cong Xiong, Qiong Qi*, Suping Liu and Xiaoyu Ma, Asymmetric wide-coupled waveguide 980nm laser diode with high power and low vertical divergence angle, Proc. Of SPIE. 2013, Vol. 9043: 904310-1.