杨静

博士，研究员。国家高层次人才计划入选者、中国科学院青年创新促进会优秀会员、北京市科技新星计划入选者、国家重点研发计划首席青年科学家、中国科学院特聘研究岗位。

主要学术成果

从事氮化镓（GaN）基材料MOCVD生长、性能分析、光电子器件制备及相关物理机理的研究。（1）发展了低缺陷紫外激光芯片材料外延新技术，建立材料掺杂调控模型；（2）提出低载流子泄漏器件设计新结构，解决载流子损耗抑制难题；（3）制备了国内首支电泵激射AlGaN紫外激光芯片（波长357.9nm）；（4）连续刷新了GaN基紫外激光芯片单管芯输出功率的国际记录（2023年3.8W@386.5nm，2024年4.6W@386.8nm）。在APL、OL等传统光电子器件主流期刊上发表SCI论文100余篇，其中第一作者和通讯作者发表SCI论文63篇，第一发明人授权专利8项。主持国家自然科学基金项目5项（其中面上2项、青年基金1项，原创探索类项目及延续项目各1项），重点研发计划青年科学家项目1项，承担中国科学院先导专项子课题一项。

主要研究领域或方向

            1、氮化镓（GaN）基材料MOCVD生长、性能分析及相关物理机理研究。

            2、GaN基激光器器件制备。

在研/完成项目如下：

1、中国科学院青年创新促进会优秀会员项目，2024-2026，主持

2、国家高层次人才计划青年项目，2024-2026，主持

3、科学技术部高技术研究发展中心重点专项青年科学家项目，基于范德华外延的柔 性纳米发光器件及显示阵列研究，2022-2025，主持

4、国家自然科学基金原创探索项目：瓦级大功率氮化镓（GaN）基紫外激光器可靠性机理研究，2023-2026，主持

5、国家自然科学基金面上项目：530nm氮化镓基绿光激光器关键问题研究 2021-2024 主持

6、国家自然科学基金面上项目：(Al)GaN基辐射伏特效应同位素电池的关键换能器件 2019-2022 主持

7、国家自然科学基金青年科学基金：氮化镓基绿光激光器的应力调控波导研究 2017-2019 主持

8、中国科学院青促会项目 2019-2022 主持

9、北京市科技新星计划 2020-2023 主持

联系方式：

　电话：010-82304168；Email: yangjing333@semi.ac.cn

代表性论文：

[1]Y. J. Huang, J. Yang*, D. G. Zhao*, Z. S. Liu, F. Liang, and P. Chen, Optical and electrical degradation behavior of GaN-based UV-A laser diodes, Applied Physics Letters, 125, 172102 (2024)

[2]Y. J. Huang, J. Yang*, D. G. Zhao*, Z. S. Liu, P. Chen, and F. Liang, Degradation mechanism during catastrophic optical damage in 385 nm GaN-based ultraviolet laser diodes, Applied Physics Letters, 125, 171106 (2024)

[3]Z. L. Sun, Y. J. Huang, J. Yang*, L. H. Duan, Y. F. Hou, F. Liang, and D. G. Zhao*, Role of trapezoidal defects in enhancing the yellow luminescence of high-Al content n-type AlGaN films, Applied Physics Letters, 125, 062106 (2024)

[4]J. Yang, Y. J. Huang, Z. S. Liu, Y. H. Zhang, F. Liang and D. G. Zhao*, Improving temperature characteristics of GaN-based ultraviolet laser diodes by using InGaN/AlGaN quantum wells, Optics Letters. 49, 1306 (2024)

[5]M. L. Gao, J. Yang*, Y. Xu, Y. J. Huang, W. Jia, L. H. Dong*, X. D. Hao, B. S. Xu*, and D. G. Zhao, Inffuence of NH₃ flow rate on the photoelectric properties of high Al content p-AlGaN, Optics Letters. 49, 5913 (2024)

[6]Z. Z. Zhang, J. Yang*, F. Liang, P. Chen, Z. S. Liu, and D. G. Zhao, Low threshold current density and high power InGaN-based blue-violet laser diode with an asymmetric waveguide structure, Optics Express, 31, 7839 (2023)

[7]Y. J. Huang, J. Yang*, Z. S. Liu, F. Liang, and D. G. Zhao, Investigation of degradation mechanism in GaN-based blue and ultraviolet laser diodes, Journal of Applied Physics, 134, 095701 (2023)

[8]J. Yang, D. G. Zhao*, Z. S. Liu, B. B. Wang, Y. H. Zhang, Z. Z. Zhang, P. Chen, and F. Liang, Room temperature continuous-wave operated 2.0 W GaN-based ultraviolet laser diodes, Optics Letters. 47,1666 (2022)

[9]J. Yang, B. B. Wang, D. G. Zhao*, Z. S. Liu, F. Liang, P. Chen, Y. H. Zhang, and Z. Z. Zhang, "Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers", Journal of Applied Physics 130, 173105 (2021)

[10]J. Yang, Y. H. Zhang, D. G. Zhao*, P. Chen, Z. S. Liu, and F. Liang, "Realization low resistivity of high AlN mole fraction Si-doped AlGaN by suppressing the formation native vacancies", Journal of Crystal Growth, 570, 126245 (2021)