中国科学院院士 黄 昆

固体物理、半导体物理学家。原籍浙江，1919年9月生于北京。1941年毕业于燕京大学。1948年获英国布里斯托尔大学博士学位。1980年当选为瑞典皇家科学院外籍院士。1985年当选为第三世界科学院院士。中国科学院半导体研究所名誉所长。主要从事固体物理理论、半导体物理学等方面的研究并取得多项国际水平的成果，是中国半导体物理学研究的开创者之一。20世纪50年代与合作者首先提出多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论即“黄-佩

卡尔理论”；首先提出晶体中声子与电磁波的耦合振动模式及有关的基本方程（被誉为黄方程）。40年代首次提出固体中杂质缺陷导致X光漫散射的理论（被誉为黄散射）。证明了无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论的等价性，澄清了这方面的一些根本性问题。获2001年度国家最高科学技术奖。1955年当选为中国科学院院士（学部委员）。

中国科学院院士 王守武

半导体器件物理学家。1919年3月生于江苏。1941年毕业于同济大学。1946年获美国普渡大学硕士学位，1949年获博士学位。中国科学院微电子所名誉所长。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作，创造了简易的光学定晶向的方法，促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起，在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中，提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究，解决了一系列技术难题，使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高，成本大为降低。1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。

中国科学院院士 林兰英

半导体材料科学家。1 9 1 8年2月生于福建。1940年毕业于福建协和大学。1955年获美国宾州大学博士学位。一直从事半导体材料科学研究工作，是我国半导体科学事业开拓者之一。先后负责研制成功我国第一根硅、锑化铟、砷化镓、磷化镓等单晶，为我国微电子和光电子学的发展奠定了基础；负责研制的高纯度气相和液相外延材料达到国际先进水平。开创了我国微重力半导体材料科学研究新领域，并在砷化镓晶体太空生长和性质研究方面取

得了令世人瞩目的成绩。1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。

中国科学院院士 王守觉

半导体电子学家。1926年6月生于上海。1949年毕业于上海同济大学。1958年在国内首次研制成功锗合金扩散高频晶体管，并在109工厂进行小批量生产，应用于我国研制的晶体管化高速计算机。1959—1963年负责研究成功全部硅平面工艺技术，并研制成功5种硅平面型晶体管。1974年成功地用自制的图形发生器自动制版技术制成了大规模集成电路掩模版。1976年起从事新电路的探讨，提出了一种新的多值与连续逻辑高速电路——多元逻辑电路，并试用于整机。1979年后主要从事多值与连续逻辑电路系统的研究并使之应用于生产实际中。1980年当选为中国科学院院士（学部委员）。

中国科学院院士 王启明

光电子学家。1934年7月生于福建。1956年毕业于复旦大学物理系。参与筹建中国半导体测试基地，建立了一系列材料测试系统。1963年开始致力于半导体光电子学研究，在中国首先研制成功连续激射的室温半导体激光器，先后使短波长和长波长激光器寿命突破10万小时，达到实用水平。发现了双异质结构激光器中出现反常自脉动、正向负阻开关和记忆开关等现象，提出了双光丝Ｑ开关机制，界面态载流子陷落存贮机制以及自掺杂反向击穿机制等，为深入研究提供了理论基础。研制成功量子阱激光器、调制器和光双稳激光器及开关器件，对发展光信息处理、光开关、光交换技术以及新一代光电子器件作出了贡献。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。

中国科学院院士 汤定元

物理学家。1920年5月生于江苏。1942年毕业于重庆中央大学物理系。1950年获美国芝加哥大学硕士学位。留美期间，发现金属铈的新颖相变起源于原子半径的突然收缩。首创的金刚石高压容器，现已发展成为高压物理研究的重要仪器。1951年回国后，长期从事半导体光电物理与器件的研制。领导并参与研制成功10种光电器件和红外探测器，部分用于人造卫星、军民用高科技装备中，为我国“两弹一星”的研制作出了突出贡献。开创了窄禁带半导体的系统研究。有13项创新成果被收入国际权威科学手册中。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。

中国科学院院士 吴德馨

半导体器件和集成电路专家。1936年12月生于河北。1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。20世纪60-90年代相继在国内研究成功硅平面型高速开关晶体管，并向全国推广；研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路，MOS4K位动态随机存储器；在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究；在国内突破了LSI低下的局面；随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器；开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法；自主开发成功3μm CMOS LSI全套工艺技术，用于专用电路的制造；研制成功多种专用集成电路和VDMOS系列功率场效应器件以及砷化镓异质结高电子迁移率晶体管，0.8μm CMOS LSI工艺技术和0.1μm T型栅GaAs PHEMT器件。近年来从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。

中国科学院院士 周炳琨

激光与光电子技术专家。1 9 3 6年3月生于四川。1956年清华大学无线电系毕业。1984年在国际上率先研制出半导体激光泵浦固体YAG激光器，实现了当时世界上效率最高（6.5％）、线宽最窄、频率最稳定的固体激光器。发明单片单模环形YAG微型激光器。主持开展了晶体纤维生长与晶体光纤器件研究，建成激光加热基座法单晶纤维材料生长设备，应用设备对各种纤维材料的生长规律进行了研究。主持开展了单模窄线宽可调谐外腔半导体激光器及其相关技术的研究、光纤环形腔与掺杂光纤激光器和放大器研究以及光纤高温传感器的研制，取得了一系列高水平的研究成果。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。

中国科学院院士 郑厚植

物理学家。1942年8月生于江苏。1965年毕业于清华大学无线电电子学系。半导体超晶格国家重点实验室学术委员会主任，国家“973”计划IT前沿中的量子结构、量子器件及其集成技术项目首席科学家。在半导体低维物理的系统研究中取得多项重要成果。揭示了量子霍尔效应的尺寸效应、量子霍尔电势分布特性，提出和研究了用分裂栅实现准一维电子气的办法和特性。在空穴多体作用诱导的磁阻现象、各类共振隧穿现象、量子霍尔区的磁阻现象及扩散系数、朗道态密度测量和低维激子光谱等方面取得了许多有价值的成果。曾获中国科学院自然科学奖一等奖等。1995年当选为中国科学院院士。

中国科学院院士 王占国

半导体材料物理学家。1938年12月生于河南。1962年毕业于南开大学物理系。早期致力于半导体材料光电性质和硅太阳能电池辐照效应研究。从1980年起，主要从事半导体深能级物理和光谱物理研究，提出了识别两个深能级共存系统是否是同一缺陷不同能态的新方法，解决了国际上对GaAs中A、B能级和硅中金受主及金施主能级本质的长期争论问题。提出混晶半导体中深能级展宽和光谱谱线分裂的物理模型，解释了它们的物理起因。提出了GaAs电学补偿五能级模型和电学补偿新判据。协助林兰英先生，首次在太空从熔体中生长了GaAs单晶并对其光电性质作了系统研究。近年来，他领导的实验组又在应变自组装In(Ga)As／GaAs、In(Ga)As／InAlAs／InP等量子点（线）、量子点（线）超晶格材料生长和大功率量子点激光器研制方面获得了突破；他提出的柔性衬底的概念，开拓了大失配材料体系研制的新方向。1995年当选为中国科学院院士。

中国科学院院士 王 圩

半导体光电子学专家。1937年12月生于河北。1960年毕业于北京大学物理系。早期从事无位错硅单晶和Ⅲ-Ⅴ族化合物异质结液相外延研究，为使我国砷化镓基激光器从液氮温度提高到室温工作作出了贡献。1979年开始从事长波长镓铟砷磷四元双异质结激光器和动态单频激光器研究，其中代表性成果包括应变层多量子阱分布反馈激光器、反位相增益耦合型分布反馈激光器及其与扇形放大器单片集成的主振功放器件、电吸收调制器和分布反馈激光器单片集成器件等，为我国光纤通信用半导体光电子器件的发展作出了贡献。1997年当选为中国科学院院士。

中国工程院院士 梁骏吾

半导体材料学家。1933年9月生于武汉。1955年毕业于武汉大学。1956—1960年在苏联科学院冶金研究所从事高纯半导体硅单晶研究，1960年获副博士学位。1960—1970年在中国科学院半导体研究所从事高纯区熔硅单晶、砷化镓液相外延、硅气相外延、SiO2隔离膜生长和多晶硅生长的研究，1970—1978年在宜昌半导体厂从事半导体集成电路的研制和生产。1978年至今，在中国科学院半导体研究所研究大规模集成电路用硅单晶、掺氮中子嬗变硅单晶、超高速电路用外延技术、MOCVD AlGaAs/GaAs量子阱材料及半导体中杂质与缺陷的行为。近年来主要研究领域为SiC外延生长和GaN基材料的生长。1990年获国家级有突出贡献中青年专家称号。1997年当选为中国工程院院士。

中国工程院院士 陈良惠

半导体光电子学家。1939年7月生于福建。1963年毕业于复旦大学。历任“863”光电子主题专家组副组长。主持研究成功高速硅光探测器。首次发现长波长激光器的空穴泄漏现象，提出俄歇泄漏模型。主持研究成功我国第一支量子阱激光器。针对不同应用，形成系列，使我国光电子器件跃上量子阱结构新阶段，器件性能达到国际先进水平，并工程化形成百万支各类光电子器件的年生产能力，获中国科学院科技进步奖和国家科技进步奖多项。他主持筹建国家光电子器件工程研究中心并通过国家验收，建成我国半导体光电子器件研发和产业化基地。1999年当选为中国工程院院士。

中国科学院院士 夏建白

半导体物理学家。1939年7月生于上海。1965年北京大学物理系研究生毕业。在低维半导体微结构电子态的量子理论及其应用方面进行了系统的研究。提出量子球空穴态的张量模型，获得重轻空穴混合的本征态，并给出正确的光跃迁选择定则。提出介观系统的一维量子波导理论，对任意复杂的一维介观系统给出了直观、简单的物理图像和解析结果。提出（11N）取向衬底上上生长超晶格的有效质量理论，解决了一大类非（001)取向衬底上生长超晶格的空穴子带的理论问题。提出了计算超晶格电子态的有限平面波展开方法，用赝势理论研究了长周期超晶格，解决了用平面波方法计算大元胞晶体电子态的困难。提出了半导体双势垒结构的空穴隧穿理论，发展了多通道的传输矩阵方法。2001年当选为中国科学院院士。

中国科学院院士 朱邦芬

凝聚态物理学家。1948年1月生于上海。1970年毕业于清华大学工程物理系，1981年获该校硕士学位。1981年3月至2000年1月在中国科学院半导体所工作，与黄昆先生一起确立了半导体超晶格光学声子模式理论，被国际学术界称作“黄－朱模型”，带动了该领域的发展。关于半导体量子阱中激子旋量态理论和半导体超晶格拉曼散射的微观理论，在国际上有较大影响。现从事凝聚态物理理论研究，主要研究方向是受限小量子系统物理和半导体超快光学过程理论。1993年和2004年先后获国家自然科学奖二等奖。曾获中国科学院自然科学奖一等奖。2003年当选为中国科学院院士。

中国科学院院士 李树深

半导体器件物理专家。1963年3月生于河北。1983年毕业于河北师范大学，1989、1996年先后在西南交通大学和中国科学院半导体研究所获硕士和博士学位。主要从事半导体低维量子结构中的器件物理基础研究。提出了研究半导体耦合量子点（环）电子态结构的一种物理模型，理论上确定了半导体量子点可以吸收垂直入射光，发现了半导体量子点电荷量子比特真空消相干机制，发展了电子通过半导体量子点的量子输运数值计算方法。曾获国家自然科学二等奖和“何梁何利”科学技术进步奖。2011年当选为中国科学院院士。