2018年9月25日中科院老科协半导体所分会在中科院半导体研究所举办宽禁带半导体材料与器件的研究及发展的科技沙龙，由分会理事长、王玉富博士主持，半导体研究所赵德刚研究员、王晓亮研究员及张韵研究员分别在会上作了“GaN基光电子材料与器件 ”， “ GaN电子器件研究进展”， “AlN基半导体器件”主题报告，与会专家学者约30名参会，包括中科院老科协的领导桂文庄、麻莉雯，半导体所党委书记冯仁国、夏建白院士，并进行了热烈讨论。
氮化镓（GaN）基材料（包括GaN、AlN、InN 及其合金）是继硅、砷化镓之后的第三代半导体，在光电子和微电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。基于GaN 基发光二极管（LED）的半导体照明已经走进了千家万户，GaN 基蓝紫光激光器作为另外一种GaN 基光电子器件，在激光显示、激光照明及激光加工等方面都有非常重要的应用。同时，GaN 基高电子迁移率晶体管（HEMT）也将是下一代电力电子、通信系统的关键器件。赵德刚研究员在报告中针对GaN 基光电子器件的应用前景，分别详细地介绍了GaN 基材料所面临的大失配体系外延问题， P型掺杂问题，缺陷增长及器件设计问题，并报告了他们课题组在基本机理，基本原理和相应的技术方面所取得一些瞩目的成果。王晓亮研究员介绍了GaN基电子电力器件的进展、发展趋势及目前存在的问题，并介绍了他们课题组在是微波大功率材料与器件所取得重大进展。张韵研究员介绍了他们课题组在结合自身实验条件和优势的条件下，通过了解企业的需求，发挥科研人员在专业领域的引领作用，和企业合作在氮化铝（AlN）压电材料在滤波器应用方面所取得一些初步成果，他们与企业的合作模式为产研结合提供了一个很好的思路。
与会专家夏建白、江德生、钟兴儒、郑一阳、邓兆阳、藤学恭、陈定钦、曹玉莲、王玉富、郑红军等对报告中涉及的外延生长、技术研究瓶颈、产业化进程、产研合作等等问题进行了深入热烈的讨论。
中科院老科协领导桂文庄在认真听取报告后，高度评价了此次沙龙活动中三位研究员所做的报告，并与参会成员共同探讨了科学院在现有体制下如何发挥好专业领域的引领作用，科研人员如何定位，如何加强与企业合作，加速科研成果转化等重要问题。同时，他也深深感谢半导体所领导和民盟支部对老科协工作的支持。
通过此次沙龙活动，不仅使与会者对第三代半导体材料GaN有了更深的认识，更为之动容的是看到老一辈科学家心系祖国半导体事业，不遗余力地发挥余热，希望年轻一代的科研工作者向老科学家学习，在半导体材料领域取得新的更大成就。
中科院老科协半导体研究所分会供稿