伉俪情深的光伏先行者
——记半导体研究所研究员廖显伯、副研究员向贤碧夫妇
一、相遇相识
廖显伯，四川南溪县人；向贤碧，重庆市巴县人。两人相识于四川大学，都于1963年7月毕业于四川大学物理系半导体物理专业；当时毕业生按照国家分配，二人都来到中国科学院半导体研究所工作，从此与半导体研究结下了不解之缘，开始了他们两人在半导体领域的科研之路。
廖显伯来到半导体所后，先是在七组从事“热电致冷”方向的研究，1969年开始从事“硫系和氧化物玻璃半导体”的研究，后从事“非晶硅，纳米硅，光伏太阳电池”的研究，曾经获国务院政府特殊津贴、多次荣获中国科学院自然科学奖和科技进步奖。
向贤碧入所后，来到林兰英先生领导的“半导体材料研究室”工作，工作初期，她参加了“GaAs（砷化镓）单晶材料的制备和物理性能的测试”研究，于1977年开始，参加“高纯液相外延（LPE）GaAs材料”的研究，后来又从事“氧在LPE-GaAs材料中行为”的研究，1986年底开始对“GaAs太阳电池”进行研究，她的研究团队也成为了国内最早研究“GaAs太阳电池”的小组之一。她曾荣获国务院政府特殊津贴和“中国科学院科技进步二奖”。
两位老师在“光伏领域”从事研究近40年，他们是我国2014年和2017年“光伏大会光伏荣誉奖”获得者。
2010年6月，向贤碧、廖显伯出席IEEE PVSC-35大会合影
二、相知相依（1963-1983年）
1963年秋，廖显伯和向贤碧有幸同来自全国百余位大学毕业生一道，来到中国科学院半导体研究所。然而，当时研究所的条件艰苦，20多人挤在一间位于前门或二道桥的临时集体宿舍里，这些年轻人心中却充满了热忱和向往。一年以后，半导体所在皇城根的所址建起了新宿舍楼，每间调整为6人，顿时让他们感觉像是进了天堂。
开始，廖显伯到七组工作，这是一个“集热电致冷材料、器件和物理测试为一体”的小型研究室。当时的负责组长殷士端和陈廷杰正领导全组赶制我国首台“半导体致冷冰箱”，参加“全国第一届工业新技术与新产品展览会”，这一成果后来获得国家级三等奖。这时，孔光临也从苏联约飞技术物理所获副博士学位回国，廖显伯作为她的助手，分工从事“粉末冶金温差电样品的质量检测”任务。
向贤碧于1963年9月到半导体所后，被分配到“半导体材料研究室”从事“GaAs材料的研究”。当时室主任是林兰英，书记是李璇同志，许振嘉同志是副主任兼“GaAs单晶组”的组长。向贤碧在该组从事材料的电学参数测量。在钟兴儒同志的领导下，用“Hall技术”测量“GaAs单晶材料”的载流子浓度、迁移率、电导率。
1964年2月，廖显伯被派往安徽农村，参加“四清运动”。1965年7月廖老师四清结束回到半导体所七组，参加孔光临领导的材料小组“研制定向区熔取向晶体”，以改善“致冷材料的优质”。
1967年4月，廖显伯于上海江湾长江口留影
向贤碧老师也于1965年9月开始参加科学院组织的“四清”工作团，赴安徽农村搞“四清运动”。1966年7月文革开始不久，四清工作团全体成员回到北京。向贤碧也回到了半导体所“GaAs单晶材料课题组”,她回所先后到“GaAs材料制备小组”和“GaAs材料测量小组”从事材料制备和材料电学参数测量工作。
1965年底，廖显伯所在的七组研制的“温差电致冷材料”的最大温差达80K,为当时国际先进水平，后来该研究成果（“半导体制冷材料和器件”项目）于1978年荣获“全国科学大会重大成果奖”。1966年文化大革命开始，七组学习“背篓精神”，主动将“致冷材料和电堆”无偿地向外单位推广应用，对我国半导体致冷产业的发展，起到了重大推动作用。其中廖老师注意到在致冷材料区熔过程中，封装材料的“95”料玻璃管壁处于半熔融状态，可通过匀速拉制获得小直径（1-2mm）的取向晶体，满足了一些特殊器件小电流大电压的要求；1967年4月，他与罗赞继、彭少近3人一道到上海“第二军医大学”，与其合作研究“半导体制冷帽对潜艇战士的影响”。
1967年8月2日，是个特别的日子，廖显伯和向贤碧在经历各种生活和工作上的磨练后，有情人终成眷属，结为夫妻，从此他们携手走过近60个春秋。
1968年夏，廖老师在科研上通过接触电阻测量，表明致冷电堆样品长度存在一个最佳值，这在当时帮助上海冶炼厂解决了在“09工程”（核潜艇）中遇到的制冷样品长度选取问题。
1969年，美国S. R. Ovshinsky在硫系和氧化物玻璃半导体中发现开关和记忆效应，七组也开展了相关的跟踪研究。
1971年9月，廖显伯被派到由所里办的廊坊工厂参加建厂工作，三年后的1974年12月奉调回所情报资料室。1976年9月底，他同陈廷杰、秦复光和彭少近等到北京酒仙桥718厂，帮助赶制“保护毛主席遗体的致冷电堆”，解决了“材料区熔过程中石英管壁炸裂问题”，保证了任务的完成。1978年底，他重新被召回七组实验室，与孔光临搭档开展研究。转了一圈，折腾了7年，从科研上来讲，对廖显伯来说无疑是一大损失，然而，塞翁失马，焉知非福？在廊坊工厂期间，他接触了“IC工艺”，做过“硼扩散和硅气相外延”，建立了一套大型纯水系统，将深井水经“电渗析脱盐（环保意识）和离子树脂交换”提纯为电子级纯水；在情报资料室的四年中，他还主持调研和撰写了长篇“集成光学半导体器件”综述文章（《半导体通讯》 1976），主审翻译了8国文字《半导体词典》（科学出版社 1981），主持翻译了王守武先生推荐的《磷光体和半导体的表面物理》一书（科学出版社 1982）。
1979年,“非晶态半导体课题组”成立，当时的成员有孔光临、廖显伯、杨喜荣等人。他们先是遵循黄昆所长的指导，研究了国际上争议的“二维无序系统中Anderson转变”问题，应用“长程势涨落解释了在硅反型层二维无序系统”中观测到的一些新现象（1981年“中国科学院科技成果三等奖”）。
当时，国际上正在兴起研究“氢化非晶硅（a-Si:H）薄膜材料和太阳电池器件”的热潮，他们于1980年着手制备“a-Si:H膜”，当时因陋就简，从四室弄来一套立式石英钟罩炉，在原七组的小小熔炼间里（5-6平米），装配上光加热衬底盘，浮子流量计，和电感耦合线圈，组成了一套“立式辉光放电系统”，经过反复实验，一天黄昏，当辉光放电被触发，那淡紫浅黄的光辉，令他们兴奋不已，还看见“硅烷分解在玻璃衬底”上沉积的薄膜，随厚度的增加变换着颜色，从紫蓝到暗红，七彩纷呈，这就是“氢化非晶硅膜”！他们由此开展了“非晶硅薄膜基本物理性质”的研究。其中，“非晶硅带隙态密度的分布”研究，于1981年荣获“中国科学院科技成果三等奖”；LPCVD非晶硅的氢钝化和离子注入掺杂；“氢在PECVD非晶硅中的作用”，于1982年获“中国科学院科技成果三等奖”。以后又在《半导体学报》，《Solar Energy Materials》等杂志和“第四届国际非晶态半导体会议”上发表。很遗憾的是，杨喜荣同志不幸在1983年11月英年早逝，她在工作中的真诚热情，无私奉献，积极向上的精神，至今还深深地铭刻在七组同志们的记忆中。
由于“文革”运动的冲击，向贤碧所在一室“GaAs（砷化镓）材料”的研究受到了很大影响，但科研人员仍然坚持进行提高“GaAs单晶材料质量”的研究。向贤碧当时正与王占国、徐寿定同志合作，测量研究“GaAs单晶材料”的电学性质。除了继续用“Hall技术”测量材料的载流子浓度，迁移率，电导率等常规参数外，还采用液晶显示，氦氖激光激发光荧光观察等方法研究GaAs单晶材料的均匀性。获得了一些有用的结果。1977年，向贤碧被调入林兰英先生组建的“GaAs液相外延(LPE)研究小组”，与方兆强、周伯骏等人合作，开展“高纯LPE-GaAs材料的研究”工作。
1978年，林兰英先生（左二）与向贤碧（左五）及“液相外延组”人员在实验室进行研讨
经过3到4年的研究工作，研究组研制的“高纯LPE-GaAs外延片的低温（77K）迁移率”达到了195000cm2/V.Sec, 载流子浓度为1x1013/cm3, 为当时的国际先进水平。1981年初，高纯LPE-GaAs的研究成果通过了技术鉴定。此项成果获得了1982年“中国科学院科技进步一等奖”，1985年，与“高纯VPE-GaAs外延材料”共同获得了“国家科技进步二等奖”。
“提高LPE-GaAs材料纯度”的工作告一段落后，按照林兰英先生的部署，液相外延小组的工作转向了材料物理的研究，向贤碧主要担任“氧 (O2) 在LPE-GaAs材料中的行为”的研究工作，此项研究与吴让元同志合作，大约进行了三年时间。她们又与材料物理组的杨锡铨同志合作，对“LPE-GaAs材料中的深能级”进行了仔细研究，确定了O2杂质与LPE-GaAs材料中的深能级有关，还与物理部的韩和相、庄蔚华同志合作，对“LPE-GaAs中的O2杂质的喇曼光谱”进行研究，相关研究取得的成果论文，有的发表在《半导体学报》杂志上，有的发表在国内及国际的学术会议上。其中，1983年11月，在林兰英先生的安排下，向贤碧在上海举办的“III-V族化合物材料”国际学术会议上，用英文作了一篇学术报告，题目是“氧在LPE-GaAs材料中的行为的研究”。
三、相助相守（1983-2011年）
1983年12月，廖显伯公派留学德国，他本打算通过Konstanz大学E.Bucher教授进入德国MBB公司进行“非晶硅薄膜太阳电池”的研究，但未能成功，他转到Stuttgart大学W.Bloss教授名下，从事“非晶硅薄膜材料”的研究。廖显伯利用当时大学先进的IBM中型计算机，对非晶硅带隙态分布进行了模拟计算，得出“带隙态Ex和Ey峰的存在和位置”。但在计入实验误差后，导出的Ex和Ey峰将变得模糊；他还发现“a-Si:H/Al界面接触的一些反常特性，利用界面原子互扩散进行了解释”，并建议和促成了Stuttgart大学物理电子所与Max Planck固体所在这一问题上的研究合作，由大学加工反应室与固体所的光电子能谱仪配合，进行原位a-Si:H/Al样品的制备和测量。后来，反应室加工完成，花费了2万多马克，但因为廖显伯的留学期限是两年，需要在1985年底按时回国争取“七五”攻关任务，没有来得及参加实验，他对此深感遗憾。
1984年8月，Konstanz大学深夜计算机房，廖显伯等待输出非晶硅带隙态计算结果
在德国，有许多假日，特别是圣诞节和新年前后，这时大学实验室关闭，留学生们无法进行科研。他忆起鲁迅先生早年的感叹：“有病不求药，无聊才读书”，便静下心来，精读了《Device Physics of Solar Cells》,《Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon Materials》等书，受益匪浅。
这段时期，向贤碧在国内的“LPE-GaAs研究”取得了多项成果后，规划着“LPE-GaAs的下一步研究工作”该向何处发展？原“液相外延工作小组”的成员没有统一意见,向贤碧在1985年去德国探亲时在“Max-Plank固体物理所”访问了半年，学习和参与了“用计算机研究各种III-V材料参数”的工作。
她回国后，1985年底原“高纯LPE-GaAs研究小组”已重新组建，新的小组由杨雄风同志负责，研究目标是“多片LPE技术”。实验室初具规模，购买了一台新的“液相外延炉”，但由于缺乏科研经费支持，“多片LPE-GaAs的研究”工作未能正式开展起来；一年后，杨雄风同志调离，1986年底，室主任王占国让向贤碧继续担任“液相外延小组”的组长，并重新确定研究课题。向老师经过多方调研和认真考虑，认为“LPE-GaAs材料的研究”必须与“器件研究”相结合才有发展前途，“LPE-GaAs的器件”应用主要是在光电子领域（半导体激光器）、当时半导体所已有多个研究小组在从事激光器的研究，范围涵盖了多种“III-V族材料”，她们另辟蹊径，发现“GaAs太阳电池”是另一种类型的光电子器件，当时这种器件的研究和应用在国际上都处于初期阶段，所内还未开展过研究。国内也只有“上海冶金所”，“云南师大太阳能所”等少数单位刚开始研究。向贤碧提出了用“LPE-GaAs技术”开展GaAs太阳电池的研究的建议，这个建议得到了林兰英先生和王占国主任的支持。1987年开始，小组便开始了这个新课题---“GaAs太阳电池”的研究，成为了国内最早研究GaAs太阳电池的小组之一。从材料研究转到器件研究，有许多困难：除了需要学习太阳电池的理论和器件工艺技术外，主要的困难是缺经费，少设备，人员匮乏。在研究的初期，王占国主任从材料室的经费中拨出一些资金支持“GaAs太阳电池”小组，在林兰英先生和王占国主任的支持和帮助下，逐步建立和完善了“GaAs太阳电池的LPE材料生长和器件制备”的主要设备和工艺技术，建成了一个完整的“GaAs太阳电池研究小组”。
1987年，“GaAs太阳电池研究小组”成员向贤碧（左3）、汪度（左4）、研究生杨民举（左1）与林兰英先生（左2）合影
1986至1990年，在孔光临的率领下，“非晶态半导体课题组”承担了国家“七五”重大科技攻关项目“非晶硅材料的研究”，廖显伯负责子课题“小面积高效率非晶硅太阳电池的研究”，与沈阳科仪厂合作，在1988年研制了我国第一台“PECVD三室设备”，获“中国科学院科技进步三等奖”（1990年）。与此同时，他们还与日本大阪大学，东京工大等开展了国际合作。最终于1990年底，他们研制的“非晶硅单结电池”，经统一测试的结果，能量转换效率为11.18%，圆满完成了攻关任务，获“中国科学院科技进步三等奖”（1991年），课题组完成“七五攻关”任务也得益于院领导和所领导的关怀。1991年除夕，周光召院长，在研究所党委书记李维学和副所长李玉璋的陪同下，来到实验室看望科技人员，与廖显伯等人亲切交谈。此外，“非晶态半导体课题组”因对我国“30cm* 30cm非晶硅太阳能电池”中试线的建立做出贡献，受到国家计委、国家科委、财政部的联合表彰，获“国家科技攻关荣誉奖”（1991年）。在日本京都举办的“PVSEC-5大会”上报告了这一成果，会上廖老师还会见了Stuttgart大学的教授W.Bloss。
1991年1月，周光召院长（前排右1），在所党委书记李维学（左1）和副所长李玉璋（左3）陪同下，于春节前夕来实验室看望科技人员，与廖显伯亲切交谈
攻关过程中，他们发现非晶硅电池的界面对电池性能有重要影响，不同界面势垒可引起电池特性曲线不同形态的拐弯，适当的界面处理，可显著改善电池的性能。他们对非晶硅中的“亚稳缺陷”与“界面”问题，进行了重点研究，还承担了跨越“七五”和“八五”计划的国家重大自然科学基金项目。
1993年，“非晶硅中的亚稳缺陷及界面问题研究”项目获“中国科学院自然科学二等奖”。之后，非晶组在“非晶硅光致退化机理研究”工作中取得了重要进展。孔光临设计了“一种新型差分红外光谱技术”和“差分电容膨胀计方法”，首次获得了“光致Si-H 键变化和光致结构变化”的直接实验证据，并发现了“光膨胀效应”，在国际上受到高度好评。组里的研究生赵奕平、岳国珍等为此做出了重要贡献。
在此基础上，非晶组还发展了“一种不间断生长/退火技术”，通过调整非晶硅生长工艺参数，获得了类似化学退火的效果，而且他们提出，应在非晶与微晶的相变域去寻求一种兼有“微晶硅的稳定结构”和“非晶硅的优良光电特性”的材料，因为从热力学的观点看，非晶硅网络结构的改善，最终将导致网络结构的微晶化。参与项目的研究生盛殊然，张世斌，徐艳月等为此做了重要贡献。
2000年，非晶硅组完成的“非晶硅光致退化机理和抑制途径”研究，荣获“中国科学院自然科学二等奖”。同期，小组还开展了与俄罗斯莫斯科大学，美国滨州大学，Solarex太阳能公司，APS太阳能公司等广泛的国际合作，也参加了1993年和1996年国际光伏专家和工程会议PVSEC-7，PVSEC-9；随着硅基光电子技术的发展，“非晶硅组”于90年代初开展了“多孔硅和纳米硅的研究”。研究生王燕探索了“强发光多孔硅的制备工艺”，在多孔硅的激发谱中，观察到一个3.2eV新峰，首次证实了理论计算的结果。
小组的研究生也发表了多篇相关文章和论文、成果：云峰的博士学位论文：“氢化纳米硅薄膜的制备和特性研究”荣获了“1995年度王大珩光学特别奖”。研究生马志训制备了“氧化纳米硅薄膜”，系统地研究了“退火温度对纳米硅薄膜微结构和光学特性的影响”，通过比较其光莹光谱和光吸收谱，发现了“明显的Stokes位移”。研究生及博士后王永谦系统地研究了“SiO2镶嵌纳米硅结构的制备工艺”，发现在低温（室温）下淀积的纳米硅/SiO2薄膜具有很强的发光特性，其发光效率数倍于多孔硅。研究生曾湘波开展了“硅纳米线及其太阳电池的研究”，答辩委员会评定为优秀。研究生胡志华开展国际合作，进行了“不锈钢柔性衬底硅基薄膜叠层电池的研究”，在国内该领域首开先河。
1996年11月，廖显伯，与于培诺，赵玉文，杨亦强，林揆训等（从左自右）出席日本九州PVSEC-9大会。
同期，“GaAs太阳电池研究小组”在向贤碧等全体组员同志的坚持和努力下，取得了多项成果。廖老师和“非晶硅小组”的刁宏伟，“光电子开放实验室”的石志文、高俊华等同志也给她的研究小组提供了大力支持，参加了“器件工艺和测量工作”，“GaAs太阳电池研究小组”当时在国内具有较大研究影响力。向贤碧也两次当选“中国太阳能学会理事”。
在廖显伯在科研上获得各种成就的同时，向贤碧也在“多片LPE技术”方面获得了进展，1993年研制的“LPE-GaAs太阳电池”的效率达到了18.78% (AM0, 0.72cm2, 25°C)，位列当时国内最高水平，与国际同类型电池的先进水平相近，这一成果在1993年11月通过了所里组织的技术鉴定。鉴定会由当时的基金委信息学部主任许振嘉同志主持，林兰英先生亲自参加，该项成果获得了基金委的好评。当年，《中国科学报》还报道了向老师她们小组这一项成果。1996年，小组承担的“多片LPE技术研制GaAs太阳电池”的空间领域863项目圆满完成。“液相外延的规模”达到每炉生长20片外延片，研制的“GaAs太阳电池的效率”达到了19.34% (AM0, 4.4cm2, 25°C)——此项成果于1996年8月通过了863专家组的验收，获得了专家组的一致好评。1997到1999年小组继续承担了“研制高效GaAs太阳电池的空间领域”的863任务。为跟踪国际上的发展趋势，项目规定GaAs太阳电池必须采用MOCVD技术生长，但当时小组没有MOCVD设备，也没有经费自己购买或组装一台，只有寻求合作途径开展研究。经过多方努力，研究小组同“电子部南京55所”的王向武同志建立了“用MOCVD技术生长GaAs外延片”的合作关系。1999年，用MOCVD技术合作研制的GaAs太阳电池效率达到了21.95% (AM0, 4cm2, 25°C)——此效率由“北京太阳能研究所”和“航天部514所”联合认证，于1999年12月通过了863专家组的验收，获得了专家组的一致好评，认为该小组超额完成了项目协议书的原定指标。随后，又向“航天部上海811所”推广了这项研究成果，并促成了811所与南京55所、厦门三安公司、厦门乾兆公司的长期研究合作。1998年，“GaAs太阳电池小组”和“上海冶金所”联合申请并获得了“中国科学院科技进步二等奖”，获奖项目名称为：“LPE法制备的高效GaAs太阳电池”，向贤碧在获奖名单中排名第一，并于2000年享受国务院颁发的政府特殊津贴。
1993年11月，自然科学基金委信息科学部主任许振嘉（右1）主持向贤碧参的“GaAs电池小组”鉴定会现场
国际上从上世纪90年代初开始，转向研究“多结叠层GaAs基系太阳电池”。因为这种电池能更充分的吸收各个波段的太阳光，所以叠层电池比单结GaAs太阳电池可获得更高的转换效率。向贤碧在1999年就已经申请了“多结叠层GaAs基系太阳电池”的基金。从2000年开始了“AlGaAs/GaAs叠层电池”的研究。该基金于2003年结题。多年来，她一直保持与“上海811所”的合作关系，担任了多年的高级学术顾问。继续关注“多结叠层GaAs基系太阳电池的研究和应用”进展。目前，上海811所和天津18所研制的“以Ge为衬底的三结叠层GaAs基系太阳电池”批产效率大于30%（AM0），已成为我国空间能源的主流。在我国的航天器上，90%的空间能源已采用“三结叠层GaInP/GaAs/Ge基系太阳电池”。近年建成的“中国空间站”，就是采用“柔性GaAs三结叠层太阳电池板”作为能源。“GaAs基系太阳电池”现在的发展和空间应用已经证明了向贤碧当初的选题方向是正确的，也印证了林兰英先生当初的预言“GaAs太阳电池能成气候”。
2005年4月，向贤碧（左2）廖显伯（左4）在上海空间电源研究所与年轻科研人员合影
2000年至2005年，国家启动了“973”重大基础研究项目“低价长寿命薄膜太阳电池的基础研究”，在孔光临老师的推动下，廖显伯与北工大的陈光华老师共同承担了子课题“非晶硅退化机理与高速生长稳定硅基薄膜材料的研究”。高速生长相变域硅基薄膜是有困难的，高速生长要求较高的硅烷浓度，而相变域薄膜淀积要求较高氢稀释，他们发展了一种硅烷的“高压耗尽模式”，较好地解决了这一矛盾。他们特别研究了在60MHz和SiH4浓度较高的耗尽条件下，生长相变域薄膜的优化工艺条件，圆满完成了项目课题预定的研究目标。研究生郝会颖的博士论文研究对此做出了重要贡献。廖老师在2006年10月带完最后一位博士生许颖（HIT异质结硅太阳电池项目）正式退休，那年他66岁。
2006年，郝会颖博士论文答辩，题目是“非晶与纳米晶相变域硅基薄膜及其太阳能电池的研究”，孔光临和廖显伯是答辩委员会成员。
在与国内外光伏同行合作中，向贤碧积极寻求国际合作，以加快研究步伐。在“GaAs太阳电池小组”十几年的研究中，她先后开展了与“俄罗斯科学院约飞技术物理所”的“GaAs太阳电池研究室”的长期合作（1988-1998），与“德国弗朗和夫学会太阳能系统研究所”（Fraunhofer-ISE）的合作（1994-1999），与“美国国家可再生能源实验室”（NREL）Dr.Olson的合作（1998-2000）。Dr.Olson是“GaInP/GaAs叠层电池”的发明者，著名的世界太阳电池专家。这些国际合作研究极大地推进了“GaAs太阳电池小组”在该方向的研究进程。
向贤碧从1987年开始，直到她2001年退休，与许多科研人员和所内外学生在这个小组工作合作过，其中主要成员有:汪度、杨明举、许颖、李标、杜文会、费雪英、常秀兰等。
1990年，向贤碧陪同俄罗斯科学院约飞技术物理所专家(Dr.Kalinovski)访问
内蒙古大学
在1998-2011年期间，廖老师和向老师多次应邀赴“美国Toledo大学”天文物理系访问研究,在不锈钢柔性衬底上制备“高效三结叠层非晶硅电池”。向老师在那里主要从事“非晶硅太阳电池的量子效率(QE)的研究和测量”。廖老师还经该系教授评选，特聘为美国Toledo大学“天文物理系研究教授”。
廖老师系统地研究了“p层的纳米微结构对p-i-n型非晶硅电池性能”的影响，首次提出“p-i-n型非晶硅电池最佳p层是具有较宽带隙、较高电导率的纳米硅层”的理念。2005年9月，在葡萄牙里斯本举办的“第21届国际非晶和纳米晶半导体会议”(ICANS-21)上，邀请廖显伯就此做了特邀报告，受到好评。这也为现在的“晶硅异质结电池结构”提供了借鉴。大会结束，他们还游览了葡萄牙西海岸，和多瑙河发源地。其后，廖老师和向老师出席了一系列重要的国际光伏和材料会议，如IEEE PVSC-33届 （美国圣地亚哥），IEEE PVSC-34届 （美国 费城），IEEE PVSC-35届 （美国夏威夷）大会，还在2011年4月参加了在旧金山举办的“MRS春季年会”，与世界光伏同行进行了广泛的交流。
四、奋斗不息（2011-2026年）
廖老师和向老师于2011年4月从美国Toledo大学二次退休。回国后，继续为我国光伏事业效力，《我们的光伏人生》一书称他们是“国内少有的光伏伉俪”，他们后来在上海811所、威海中玻光电公司和上海尚德太阳能公司等担当顾问。
2024年，廖显伯和向贤碧均荣获“中国可再生能源学会光伏专委会”颁发的“光伏先行者”纪念奖章。
如今，二人已经在半导体领域奋斗了五十余载，他们熟悉的光伏领域也发生了沧桑巨变，但他们依然在工作上相互扶持，生活上相濡以沫，2024年重阳节，两人双双荣获“中国可再生能源学会光伏专委会”颁发的“光伏先行者”纪念奖，实现了他们的“光伏人生”。
参考书目：
1. 李晋闽主编，王占国、何春藩副主编，《拓荒者的足迹》，北京，科学出版社，2010,335页-340页
2. 沈辉、袁晓、冯志强主编，《我们的光伏人生：光伏播种者系列传记（第2部）》，北京，九州出版社，2025，37页-85页
离退休办公室
2025.3.18