• 1956

    根据国家1956~1967《十二年科学技术发展远景规划》及其四项“紧急措施”(发展计算技术、半导体技术、无线电电子学、自动化与远距离操纵技术)的要求和精神,为了发展我国半导体科学技术,1956年将中国科学院原应用物理所的电学组扩建为“半导体研究室”,王守武研究员任室主任,下设材料、器件、光热电三个组,成为我国最早的半导体研究机构。图为:1956年8月25日陈毅副总理批示拟成立半导体研究室

    来源:半导体所50周年所庆纪念册


  • 1960

    1960年9月,经国家科委批准,以原应用物理所半导体研究室为基础,扩建成立中国科学院半导体研究所,宋之春任所长,王守武为业务副所长。图为:1960.9.6中华人民共和国科学技术委员会关于同意建立半导体研究所的批复。

    来源:半导体所50周年所庆纪念册


  • 1975

    1975年6月20日,经国务院、中央军委批准,半导体所又回归中国科学院,复原名。陈致中任核心领导小组组长,刘大明任副组长。图为:当时所址大门(美术馆后大街大取灯胡同9号)。


  • 1985

    1985年正式从老所址搬迁到新所址海淀区清华东路甲35号,占地170亩,科研用楼3.8万平方米,生活及辅助用楼3.7万平方米。图为:新所址1号科研楼远景


  • 1992

    党和国家领导人关注半导体所的发展,明确“有所为,有所不为”、“发展高技术,实现产业化”的研究所发展指导思想。图为:1992年江泽民总书记视察半导体所


  • 2001

    为表彰黄昆院士在固体物理学领域所做出的杰出成就和贡献,黄昆院士被授予2001年度国家最高科学技术奖的殊荣。


  • 2012

    2012年6月18日中共中央政治局常委、国务院副总理李克强到半导体所考察。图为:李克强在半导体照明联合创新国家重点实验室